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华泰Q3 NAND Flash存储卡封装占IC封测66%
华泰今年受Flash供应的不稳定，使前三季营运续为亏损。不过，近一季以来，Flash价格大跌逾20%，带动华泰主要模块厂客户拉货动能回升，公司看好第四季IC封装订单将续往上，且明年客户展望亦乐观。法人分析，华泰亏损主要来自IC封装，第四季力拼损平，明年随着产能利用率拉升，有机会转亏为盈。
2018-12-05
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难敌市场跌价压力，消息称三星将暂停采购EUV设备
随着技术的发展，三星、东芝、西部数据、英特尔、台积电等厂商为了量产先进的工艺技术，对EUV设备的需求持续增加，因为若是少了EUV技术，先进制程工艺量产就很难发展下去。也正由于新技术量产，市场供货不断增加，导致2018年NAND Flash价格大跌，DRAM价格也在下滑，预计2019上半年存储器仍将持续跌势。
2018-12-05
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DRAM价格本月已第二次下跌，明年大幅下滑或不可避免
经过两年多的涨价潮之后，DRAM的风光不再，10月份调研报告显示DRAM内存现货价格跌了10%，4GB及8GB模组的价格都在跌，DRAM内存芯片持续了两年多的牛市要转向熊市了。
2018-12-05
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英特尔美国芯片工厂不明气体泄露，22人出现呼吸问题
据美国媒体报道，英特尔公司在美国俄勒冈州Hillsboro的工厂发生员工健康安全事故。当地时间周一早间，共有22名英特尔员工出现呼吸问题，有6人送往医院，送医院的6位人中，除了呼吸系统问题外，少数还出现了皮疹。这已经是英特尔一周内在同一个工厂再度发生同样的健康事故。
2018-12-05
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销售压力大，挑战大！2019上半年NAND和DRAM将持续跌价
今年 NAND Flash价格大跌，DRAM价格也逐步下滑。预计2019上半年原厂96层3D NAND和1ynm DRAM新一代存储器面世，市场价格恐会持续走跌，存储厂商财报将备受挑战。
2018-12-04
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武汉新芯晶圆级三维集成宣告研发成功
12月3日，武汉新芯对外宣布称，基于其三维集成技术平台的三片晶圆堆叠技术研发成功。武汉新芯的晶圆级集成技术可将三片不同功能的晶圆（如逻辑、存储和传感器等）垂直键合，在不同晶圆金属层之间实现电性互连。与传统的2.5D芯片堆叠相比，晶圆级的三维集成技术能同时增加带宽，降低延时，提高性能，降低功耗。
2018-12-04
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三维晶圆堆叠技术的成功意味着什么？
中美贸易战虽暂时纾解，但中国已认识到，解决技术受制于人的困境最终仍是要靠自己，对“核心技术”的重视程度已在飙升。而目光也不仅锁定高端芯片，产业链环节的任何进步都在严阵以待。
2018-12-04
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3.5英寸16TB！希捷成功研发有史以来最大容量硬盘
近日，希捷科技宣布利用其先进的HAMR技术，已成功研发出世界上首款格式化且功能齐全的3.5英寸16TB企业级硬盘（有史以来最大容量的硬盘），实现了其开创性HAMR（热辅助磁记录）技术批量出货的又一重要里程碑。
2018-12-04
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减少17%! DRAM市场清淡，三大供应商明年资本支出锐减
目前DRAM市场态势疲软，这局势可能延续至明年上半年，三星、SK海力士与美光三大DRAM供应商的资本支出，从今年的454亿美元，锐减到明年的375亿美元，减少17%。
2018-12-03
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中国存储控制芯片迎来春天？
随着AI、5G、自动驾驶的发展，万物互联时代悄然开启，大量的数据得以产生，存储器被业内看作“开启新时代的基石”。近年来，市场对于存储器的要求逐渐提升，持续保持擦写、使用寿命延长、出错概率变低、读写速度变快、稳定性变强等诸多功能的实现离不开存储控制芯片的强大性能。在迅猛更新的技术浪潮中，如何把握存储器的这颗“芯”，应该成为存储企业的关注重点。
2018-12-03
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