SK海力士近日宣布已经成功研发并量产128层堆叠的4D NAND闪存芯片，并会在今年下半年批量出货，此时距离去年量产96层4D闪存只过去了八个月。SK海力士由此实现了业内最高的闪存垂直堆叠密度，单颗芯片集成超过3600亿个闪存单元，每一个可存储3个比特位，为此SK海力士应用了一系列创新技术，比如超同类垂直蚀刻技术、高可靠性多层薄膜单元成型技术、超快低功耗电路技术等。

新的128层4D闪存单颗容量1TB，是业内存储密度最高的TLC闪存，与SK海力士在内的多家闪存厂商所研发出的QLC闪存存储密度相同，每颗晶圆可生产的比特容量也比96层堆叠增加了40％。并且新闪存可以在1.2V电压下实现1400Mbps的数据传输率，可用于高性能、低功耗的手机存储、企业级SSD。

所谓4D闪存是指单芯片四层架构设计，结合了3D CTF(电荷捕获闪存)设计、PUC(Peri. Under Cell)技术，利用这种架构设计，SK海力士在从96层堆叠到128层堆叠时，虽然层数增加了三分之一，但是制造工艺步骤减少了5％，整体投资也比之前减少了60％。