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闪存颗粒SLC、MLC、TLC、QLC的区别在哪里？
闪存是一种永久性的半导体可擦写存储器，U盘、SD存储卡、SSD 等都属于闪存。3D NAND颗粒又可以分为32层、48层甚至64层或更高层次，3D TLC/MLC颗粒的不同产品，各大厂商的技术不尽相同。根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
2018-12-24
浏览量7351
QLC来了：你的SSD购买法则还适用吗？
不管你接不接受，QLC真的来了。“技术升级”还是“技术降级”，相信大家都各持己见，不过各大厂商开始量产QLC自是有不可替代的优势存在。
2018-12-12
浏览量1915
SSD的耗损均衡算法
由于Flash具有擦除次数有限、先擦后写的特点,会带来使用寿命有限的缺陷.为延长其预期使用寿命,普遍采用耗损均衡算法对各存储单元进行管理。SSD 的资料存储在NAND闪存中，其中没有运动部件。
2018-11-05
浏览量2626
SSD与HDD
SSD与HDD
2018-11-03
浏览量2262
固态硬盘需注意的几个问题
1.不要整理磁盘碎片。2.不要忘记备份重要数据。3.注意兼容性问题。
2018-11-03
浏览量2513
NAND flash和NOR flash在软件支持方面的差别
NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的I/O端口只有8个，比NOR要少多了。这区区 8个I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比NOR闪存的并行传输模式慢得多。再加上NAND闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较NOR闪存要差。
2018-11-03
浏览量2356
NAND、NOR闪存的基本原理
无论NAND还是NOR，两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。
2018-11-03
浏览量3142
NAND型闪存技术原理
闪存卡一般采用两种不同类型的NAND闪存:1.SLC全称为Single-Level Cell 2.MLC全称为Multi-Level Cell
2018-11-03
浏览量2788
闪存（Flash Memory）的技术特性
闪存(Flash Memory)是非掉电易失性内存的一种，具有关掉电源仍可保存数据的优点，同时又具备掉电易失性内存可重复读写且读写速度快、单位体积内可储存最多数据量，以及低功耗特性等优点。
2018-11-03
浏览量6141
SSD固态硬盘的寿命
固态硬盘在原理构造上基本上和我们应用普通机械硬盘有很多相似的地方，比如模拟扇区、模拟磁道等。在固态硬盘内部，最核心的部分就算控制器了，它是整个固态硬盘的核心，里面包括很多构架，比如读写算法、接口定义等。
2018-11-03
浏览量2656
