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全快闪阵列 Q3每GB跌破2美元
根据市调机构调查报告显示，2018年第三季全快闪阵列（All-Flash Array，AFA）储存系统的每GB容量价格首度跌破2美元大关，来到1.92美元价位。IDC预期，价格的下跌将加强企业采用AFA动机，只要NAND Flash制程技术持续突破，相同成本的容量增加速度，高过于企业资料需求的增长速度，则NAND Flash在企业储存系统市场渗透率将持续提升。
2018-12-24
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美光宣布调降资本支出 记忆体产业蒙上阴霾
记忆体大厂美光科技宣布将调降2019年资本支出，大砍12.5亿美元降至95亿美元的水准，减少幅度约12%，主要为缩减晶片产量以因应市场需求萎缩，为记忆体明年的发展前景蒙上阴霾。
2018-12-24
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硅晶圆需求减 价格看跌
受智能型手机销售不如预期、内存厂缩减产能影响，近期多家外资机构看淡明年上半年半导体硅晶圆需求，认为可能被迫放缓增产速度， 甚至短暂减产。 半导体业者透露，原本喊涨的半导体硅晶圆，明年上半年也可能因需求减弱，面临价格下修压力，法人正密切注意国内主要供货商环球晶、合晶和台胜科等报价动向。
2018-12-24
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存储器行业颓势不减 各大厂商业绩不佳
今年存储器行业过得可以说是很不顺利，其中最受影响的当属存储器行业巨头美国美光公司。美光2018年生产的DRAM和NAND Flash快闪存储器由于供过于求，导致市场价格持续走低，营收也大幅缩减。
2018-12-21
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慧荣科技携4K超高清显示芯片及单芯片SSD存储解决方案 亮相深圳国际电子展
2018年12月20日，中国深圳——全球闪存主控芯片领导品牌慧荣科技（Silicon Motion Technology Corp., NasdaqGS: SIMO）于12月20日在深圳举办的深圳国际电子展（ELEXCON 2018）暨第七届深圳国际嵌入式系统展（EMBEDDED Expo 2018）展示支持4K高清多屏幕的SM768高性能图形显示芯片以及单芯片PCIe NVMe FerriSSD® 和Ferri-UFSTM单一封装存储解决方案。
2018-12-21
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内存/SSD降价太多！三巨头集体
这两年，DRAM芯片和内存条价格经历了一波疯涨，如今已经慢慢回归理智，而在另一方面，NAND闪存产能一直很充裕，SSD固态硬盘的价格也是持续走低，性价比越来越高。但是这对于内存、闪存芯片厂商来说，并不是好消息，三星电子、SK海力士、美光三大巨头就不约而同地要开始刻意控制产能了。
2018-12-21
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SK海力士第7座半导体厂动工 预计2020年正式完成
随着NAND Flash快闪存储器及DRAM价格不断下跌，2019年存储器市场将迎接逆风。而为了应付降价导致的损失，包括存储器大厂三星、SK海力士（SK Hynix）及美光都计划减少资本支出。
2018-12-21
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英特尔扩建俄勒冈州14nm工厂：申请3亿美元免税债券
Intel这半年来遭遇了严重的供应紧张危机，处理器乃至芯片组大面积缺货，导致市场行情紧张，也给了对手不少机会。Intel高层甚至表示要到明年底才会彻底解决。其实，Intel也一直在采取各种措施，比如增加资本支出来扩充产能，位于亚利桑那的Fab 42工厂就取得了良好进展，近日还宣布计划扩充位于俄勒冈、爱尔兰和以色列的生产设施。
2018-12-21
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内存、闪存降价太狠，美光削减12.5亿美元支出以减少供应
美光公司昨天发布了2019财年Q1季度财报，当季营收79.1亿美元，同比增长16%，毛利率达到了58%，净利润32.9亿美元，同比增长23%。虽然整体业绩还是在增长的，但是相比上个季度已经放缓了，主要原因就是NAND闪存大幅降价，DRAM内存芯片也由涨转跌，影响了公司的毛利率。2019年内存、闪存芯片的价格还会继续降低，大趋势不可避免，为此美光计划削减12.5亿美元的资本支出，减少内存及闪存芯片的产量。
2018-12-20
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台积电3nm晶圆厂环差过关：2020年动工，2022年量产
在10nm节点之后，全球有能力研发先进工艺的半导体制造公司就剩下英特尔、台积电及三星了，其中台积电在7nm及以后的节点工艺上进度是最快的，目前几乎垄断了7nm芯片代工订单。台积电的5nm工艺最快明年也会试产，在此之后还有3nm工艺，台积电目前还在准备阶段，昨天台湾主管部门通过了台积电3nm工厂环差案，预计总投资不低于6000亿新台币，也就是200亿美元规模，2020年开工建设，2022年底量产3nm工艺。
2018-12-20
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