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DRAM厂放缓扩产 估资本支出减1成
动态随机存取存储器(DRAM)厂纷纷放缓扩产脚步，据市调机构预估，2019年DRAM产业资本支出金额约180亿美元，将减少1成左右。韩国两大DRAM厂三星(Samsung)与SK海力士(Hynix)较早宣布放缓2019年投资计划，三星2019年DRAM投资金额约80亿美元，主要用在转换1y纳米制程及新产品开发。
2019-01-03
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怕反垄断天价罚金？SK海力士无锡厂斥资引进DUV设备
美国对大陆内存厂商福建晋华发布禁售令，重创中国的半导体美梦，中国或许打算另辟蹊径，强化半导体产业。近来韩国内存大厂SK海力士(SK Hynix)，在中国无锡厂引进了DUV(deep ultraviolet、深紫外光)光刻设备。韩媒揣测，中国对韩国内存业者启动反垄断调查，韩厂或许被迫引进高科技设备讨好北京当局，以免惨遭修理。
2019-01-03
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资料传输需求增 可望刺激存储器新一波成长
随着5G明年步入商转，资料传输需求大增，可望显著刺激存储器景气。虽然近期存储器步入景气向下循环，但历经调整后，5G、人工智能与边缘运算等带动科技新浪潮，将带动DRAM与NAND Flash需求重回成长，南亚科、华邦电等台厂都将因此受惠。
2019-01-02
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2019年半导体业，记忆体变数大
半导体产业2019年仍可望延续成长趋势，只是记忆体市场在经过2年快速成长后，恐将面临衰退压力，是变数较大的领域。全球政经情势浑沌不明，除智慧手机销售成长趋缓，美中贸易战更为明年经济成长添增不小变数；受大环境具不确定性影响，厂商采购多采取保守策略，影响半导体厂今年第一季订单能见度低。
2019-01-02
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DRAM看跌 南亚科、威刚有压
去年高速成长的DRAM产业，本季面临淡季，加上美中贸易战干扰，产业景气由高峰向下，市调机构预估本季DRAM价格跌幅加重，包括南亚科（2408）、华邦电、威刚和创见等族群营运有压。
2019-01-02
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为防中国半导体人才挖角，SK海力士推出续聘退休工程师计划
中国近来积极发展半导体，半导体人才需求急切，为防相关人才挖角，南韩半导体大厂SK海力士(SKHynix)近期推出一套新的制度，让已经达到推退休龄的优秀工程师仍可继续工作，使得相关的技术得以延续，继续发挥产业竞争力。
2018-12-29
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兆易创新与合肥产投将继续推进DRAM项目
12月29日，兆易创新发布《关于合作协议的进展公告》。公告显示，兆易创新与合肥市产业投资控股（集团）有限公司（以下简称“合肥产投”，与公司合称“双方”）于2017年10月26日签署了《关于存储器研发项目之合作协议》（以下简称“《合作协议》”），约定双方合作开展12英寸晶圆存储器研发项目（以下简称“本项目”）。
2018-12-29
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Q3全球企业级存储需求同比增57.3%，明年TB级SSD将爆发
在信息化建设引领的大数据时代，随着云计算、物联网、人工智能等新一代信息技术的涌现，数据中心、企业等领域存储需求快速增长。据IDC最新数据显示，2018年第3季全球企业存储市场规模年增19.4%，达140.47亿美元；就存储容量而言，大幅成长57.3%，达113.9EB(exabytes)。
2018-12-28
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中国内陆存储器垄断调查转至NAND Flash？
台媒报道，大陆最近似乎开始加强力道，对南韩半导体业者进行施压。内陆业界最近传出消息，指关于DRAM三巨头的反垄断调查，已从DRAM价格垄断，转向NAND Flash捆绑销售。传内陆打算以此为由祭罚，业者不缴罚金的交换条件，将是停止或中断对内陆半导体业者的专利侵权诉讼，传南韩业界已感受到巨大压力。
2018-12-28
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明年内存晶元市场低迷 三星计划放缓扩张步伐
11月26日晚间消息，据《韩国先驱报》(Korea Herald)报导，由于分析师对2019年全球半导体市场的预期比较悲观，全球最大存储晶元供应商三星电子正考虑放缓扩大生产设施的步伐。在上周举行的全球商业战略会议上，三星电子“设备解决方案部门”的主要议程就是：如何应对明年可能出现的内存晶元供应过剩的局面。当前，业界普遍预计明年的内存晶元需求将出现下滑。
2018-12-27
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