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慧荣推出专为AI手机设计的6纳米UFS 4.0主控
全球NAND闪存控制芯片领导厂商慧荣科技13日宣布推出SM2756 UFS 4.0控制芯片，成为慧荣科技UFS控制芯片系列中的旗舰款，以应对快速成长的AI智能手机、车用和边缘运算等高效能应用需求。
2024-03-14
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慧荣：今年NAND和DRAM价格都会一路上扬
NAND制造商第一季就会赚钱， 第二季大部分都会获利，OEM厂共识NAND第二季价格涨20%，加上AI PC和AI手机带动需求，大家不盲目扩产，供给吃紧会维持到明年上半年
2024-03-12
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传三星电子调升西安工厂NAND开工率至70%
据韩媒The Elec报道，三星电子已将西安工厂的闪存开工率提升至70%。
2024-03-12
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群联：原厂增产有助产业健康，减产涨价恐压抑需求
NAND主控芯片厂群联执行长潘健成表示，NAND原厂减产造成价格提高并不是好事，系统性短缺可能将导致压抑需求。乐见NAND厂尽管恢复获利及建设新厂，否则2025年下半将出现供给严重短缺。
2024-03-12
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HBM4标准放宽，三星、SK海力士推迟引入混合键合技术
业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准定为775微米(μm)，比上一代的720微米更厚。
2024-03-12
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三星拟将HBM工作组转变为芯片部门下的一个常设办公室
据Thelec报道，三星计划将其高带宽内存 (HBM)工作组转变为芯片部门下的一个常设办公室。
2024-03-12
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AI研究人员提出GaLore方法，可减少模型训练内存用量
随着大型语言模型的规模越来越大，若对所有模型参数进行训练，成本势必非常高昂，研究人员设法减少内存使用量，其中新方法GaLore（Gradient Low-Rank Projection）可让训练过程更省内存，甚至用家中电脑搭配高端显卡就能训练。
2024-03-12
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JEDEC将于2024年Q3最终确定LPDDR6内存规范
JEDEC预计将在2024年第三季度最终确定下一代LPDDR6内存的规格。下一代LPDDR6内存标准将为一系列低功耗设备带来更快、更高效的性能。
2024-03-12
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威刚：2月营收年增34%，对整体存储行情仍相当有信心
展望3月整体营运，公司预期，本季存储价格涨势未歇，延续农历年后备货效应，价量双涨下，3月营收动能将继续向上攀升。
2024-03-08
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机构：全球半导体今年营收增20%，储存市场最强劲
据研究机构国际数据资讯（IDC）预估，今年全球半导体营收可望回升至6302亿美元，成长20%。储存市场成长最强劲，增幅达52.5%；数据中心次之，成长45.4%。
2024-03-08
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