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美光力推数据中心上QLC SSD：性能是万转机械盘4倍
今年的闪存技术峰会，美光、SK海力士包括长江存储都宣布了新一代的立体堆叠闪存方案，SK海力士称之为“4D NAND”，长江存储称之为Xtacking，美光则称之为“CuA”。CuA是CMOS under Array的缩写，即将外围CMOS逻辑电路衬于存储芯片下方，它有三大好处，提高了存储密度、降低了成本、缩短了制造周期。
2018-10-30
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携手Everspin：IBM为19TB NVMe SSD引入MRAM
据外媒报道，IBM 正在摆脱传统需要电容支持的 DRAM，转而推进面向下一代闪存系统的磁阻存储器（MRAM）技术。 AnandTech 指出，MRAM 是当前市面上速度最快、耐用性最高的非易失性存储器之一。只是与 NAND 闪存（甚至英特尔的 3D XPoint 存储器）相比，其密度相对更加受限。
2018-10-30
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大搞硅晶圆制造这么多年，本土企业能否让我们在中美贸易战中扬眉吐气？
作为制造半导体产品的核心材料，硅晶圆的重要性不言而喻。目前在半导体硅晶圆市场，国外巨头占据了主要的市场份额，前五大厂商占据全球90%以上份额。而国内大陆地区也仅仅对8英寸及以下的硅晶圆制造技术有所掌握，12英寸及以上规格的硅晶圆则几乎全部依靠进口。
2018-10-30
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长江存储3D NAND架构Xtacking揭秘：I/O速度看齐DDR4
谈到NAND闪存，或者说以它为代表的SSD产品，多数人对速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其实闪存芯片也有内部接口，LGA/BGA都有引脚，所以就有引脚带宽，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解为内频。
2018-10-30
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让芯片加工从平面走向立体 长江存储全球首创三维闪存研发技术
致力于打造“中国芯”的长江存储再传好消息。8月7日，长江存储公开发布Xtacking技术。该技术将为三维闪存提供更高的读写性能和更高的存储密度，同时缩短产品研发周期。
2018-10-29
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NAND供应过剩问题显现，三星过度依赖半导体令人担忧
传闻2018年下半NAND Flash价格将下跌超过10%，加上韩国、美国、日本等存储器大厂争相启动设备投资，加速市场提前进入供给过剩，后续发展恐影响业者获利，尤其半导体事业比重偏高的业者更须留意。
2018-10-29
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三星宣布量产4-Bit QLC SSD，最高容量达到4TB
近期以来，在快闪存储器（Nand Flash）市场竞争激烈的情况下，各家厂商开始寻求新技术的产品来满足市场的需求。因此，厂商们都开始将目光转向了QLC架构的快闪存储器上。之前包括英特尔（Intel）、美光（Micron）、西数（WD）、东芝（Toshiba）等大厂就已经宣布推出了QLC架构的快闪存储器，现在三星也正式宣布量产首款搭载QLC快闪存储器的SSD。
2018-10-29
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SSD新案大增5成慧荣下半年有甜头
慧荣科技公布2018年第二季营收达1亿3,806万美元，较上一季成长6％，与去年同期相比成长4％。第二季毛利率47.5％，税后净利3,319万美元，每单位稀释之美国存托凭证盈余0.92美元。
2018-10-29
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TB级大容量低价SSD即将到来，三星率先量产消费级QLC SSD
来自今天早间的最新消息，三星率先量产了消费级QLC SSD。QLC这一被业界寄予厚望的NAND颗粒终于要进入消费级市场——这意味着大容量的廉价SSD产品将被真正普及，传统的机械硬盘将在普通消费者的电脑中被大面积替代。
2018-10-29
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28nm工艺不落伍，联电与Avalanche合作开发28nm MRAM存储芯片
虽然台积电、三星以及Globalfoundries公司都会在今年底或者明年初量产更先进的7nm工艺，不过其他技术的工艺并不意味着就会淘汰，在半导体工艺节点上将会存在一些很长寿的制程，28nm工艺就是其中的一个，即便是台积电，28nm工艺带来的营收依然是大头，营收比例超过其他先进工艺。UMC台联电也给自家的28nm找到了新的领域，他们宣布与美国Avalanche公司合作研发28nm工艺的MRAM存储芯片。
2018-10-29
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