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终结14nm产能不足危机，英特尔宣布扩建三座晶圆厂产能
今年Q3季度英特尔突然曝出了14nm产能危机，这件事不仅影响了英特尔自己的产品路线图，还导致整个PC业界也受到了负面影响，笔记本、主板甚至存储市场都不同程度下滑。为了解决14nm产能危机，英特尔早前已经宣布额外增加15亿美元的资本支出，提高14nm产能。本周一，英特尔宣布扩建美国俄勒冈州以及以色列、爱尔兰的晶圆厂产能，未来将大大缓解供应不足的问题，将供应时间缩短60%以上。
2018-12-18
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NAND Flash明年Q1恐再跌10％
NAND Flash今年下半年价格逐步走跌，明年上半年各界展望也偏向保守。研调机构表示，尽管记忆体原厂对扩充产能转趋保守，但由于淡季影响，加上市场库存水位仍高，供过于求情况将更加显着，预估明年第一季NAND Flash合约价将再跌10％。
2018-12-18
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南茂：明年存储器需求仍看佳
半导体封测厂南茂下半年营运显着转强，展望明年营运，董事长郑世茂认为，虽然市况相对趋守，但南茂明年存储器及驱动IC需求仍看佳，相关专案需求效益将在下半年发酵，预期营运于首季淡季落底，第二季起可望逐季成长。
2018-12-18
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DRAM和固态价格将持续走低 SSD将加速取代HDD步伐
经常关注固态硬盘、DRAM价格的玩家可能发现了，从今年第二季度开始，DRAM和固态硬盘的价格开始回落。继半月前集邦统计给出的研究结果后，近日Team董事长夏澹宁表示：“颗粒供应价格明年第一季还是微跌，预计要到2019年第3季才可能回稳。 ”此外十铨总经理陈庆文也表示，受惠固态硬盘取代机械硬盘趋势，明年公司增长动能将会是固态硬盘，市占可望更上一层楼。”
2018-12-18
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突破半导体NOR闪存领域技术瓶颈 “中国闪存”首秀
近日，首届全球IC企业家大会暨第十六届中国国际半导体博览在上海召开。在RISC-V创新应用开发者论坛上，记者获悉，中天弘宇公司4F2 NOR Flash新一代闪存亮相，这款被命名为“中国闪存”的技术，突破了多年来困扰半导体NOR闪存领域的技术瓶颈，填补了国内空白，引起人们广泛关注。
2018-12-18
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8英寸产能扩充除了台积电还有哪些晶圆厂？
根据韩国媒体《ETnews》的报道指出，近年来在物联网（IoT）及车用电子需求的带动下，晶圆制造的产能需求开始由12英寸厂转移到8英寸厂上，这也促成了晶圆龙头台积电在日前宣布，将在南科兴建一座新的8英寸厂，也满足当前市场上的需求。
2018-12-18
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国内存储芯片迎来最好的发展时机
存储芯片被誉为工业的粮食，存储芯片是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。
2018-12-17
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市况冷飕飕 DRAM业吹寒风
DRAM市场受美中贸易战、英特尔中央处理器（CPU）缺货比预期严重等负面因素干扰，市况冷飕飕。 通路商透露，本季合约价跌幅高达一成，已较原预期高，近期下游降低备货，甚至反手出清库存，导致卖压加重，明年合约价首季跌幅恐持续扩大，预估价格跌势恐至明年第2季中旬才会趋缓。
2018-12-17
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美光为曦力P90提供最高容量单片移动存储器 预计明年进入量产
美光科技公司13日宣布其“单片12Gb低功耗双倍数据传输速率4X（LPDDR4X）DRAM”已通过联发科最新Helio P90智能手机平台参考设计的使用验证。美光的LPDDR4X能为单支智能手机提供高达12GB的低功耗DRAM（LPDRAM），并透过在单一封装内堆叠8层芯片，在不增加尺寸大小的情况下，使存储器容量较前一代产品增加一倍。
2018-12-17
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DRAM新需求 靠AI、5G带动
DRAM市场再度陷入景气向下循环周期，业者认为，此波景气调整后，下一波带起市场需求的，将是人工智能（AI）与第五代行动通讯（5G）两大应用。
2018-12-17
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