三星1c DRAM开发困难重重

三星电子成功开发出采用10nm级第六代（1c）工艺的DRAM，预计很快将开始量产。

2025-07-19阅读量1374

三星12层HBM3E基本通过英伟达认证

三星电子初步通过英伟达对其12层HBM3E内存认证

2025-05-27阅读量1172三星

HBM4竞争，三星电子期待逆转

第10纳米第6代DRAM开发完成

2025-07-02阅读量1563三星

DRAM新战略，三星电子抢先投资

三星电子和SK海力士在10纳米级第六代（1c，11-12纳米）DRAM业务上采取了不同的战略。

2025-08-11阅读量1212

韩国股市暴涨，三星电子却一路下滑

韩国综合股价指数突破3100点，接近历史最高点

2025-06-25阅读量1319三星

三星高管造访英伟达总部争取HBM订单

三星电子存储芯片部门高管于五月下旬前往英伟达美国总部

2025-06-04阅读量1532三星

三星电子宣布165亿美元大订单

三星电子文件显示，已签署165亿美元的半导体供应合同。

2025-07-28阅读量1262三星

三星、SK海力士目标股价上调

机构预测，即便三星电子可能进入HBM3E市场，SK海力士仍保持供应份额第一。

2025-09-23阅读量1220三星

三星HBM3E通过英伟达认证

三星虽然已向AMD出货第五代12层HBM3E

2025-09-22阅读量912三星

H20恢复销售，带动三星电子

7月15日韩国股市呈现出积极上涨态势，KOSPI指数连续两日上涨

2025-07-16阅读量1104