美光科技昨(19)日宣布推出16Gb DDR5内存,奠基于其领先业界的1β制程节点技术,美光1β DDR5 DRAM的内建系统功能速率可达7200MT/s,目前已出货给所有数据中心及PC客户,相较于前一代产品,效能可提升50%,每瓦效能功耗可降低33%。美光表示,因应数据中心工作负载所需,CPU内核数持续增加,为突破「内存墙」(Memory Wall)瓶颈,同时为客户提供最佳化的总拥有成本,对于内存频宽及容量需求也随之大幅提升,美光推出的1β DDR5 DRAM可扩大运算能力,并以更高效能辅佐数据中心及客户端平台,支援AI训练及推论、生成式AI、数据分析、内存资料库等。美光强调,全新1β DDR5 DRAM产品在现有模组化密度中,速率可达4800 MT/s至7200MT/s,适用于数据中心及客户端应用。美光核心运算DRAM产品设计工程事业部企业副总裁Brian Callaway指出,量产1β DDR5 DRAM并提供给客户及数据中心平台,是业界一大里程碑,在我们与生态系伙伴及客户合作下,将加速高效能内存产品的普及。
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