与SK海力士一教高下！三星证实明年推300层以上V-NAND ssd新闻存储新闻

2023-10-20

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据TomsHardware报道，韩国存储大厂三星分享V-NAND（即3D NAND）发展计划，证实2024年将生产超过300层的第九代V-NAND闪存，这将是业界最高层数。

三星总裁暨存储事业部负责人Jung-bae Lee在博客中写道，第九代V-NAND基于双层结构，层数将达到业界最高水准，将于明年初量产。

三星正开发超过300层的第九代V-NAND，保留三星2020年首次采用的双层堆叠技术。三星不仅证实闪存已步入正轨，其层数有望超过竞争对手。

韩国存储大厂SK海力士8月宣布，新321层堆叠4D NAND Flash 闪存样品，成为业界首间开发完成300层以上堆叠NAND Flash公司。但从三星最新进度可知，三星有望超车SK海力士，并拥有更多闪存层数。

Jung-Bae Lee 指出，三星还在研究下一代具价值的技术，包括最大限度提高V-NAND输入/输出(I/O) 速度的新结构。

虽然还不知道三星第9代V-NAND性能如何，但根据外媒报道，三星在即将推出的SSD中使用这种记忆体。届时，就能看到三星采用PCIe Gen5接口的零售SSD——三星990 Pro系列后续产品。

报道指出，三星现在致力于大幅减少单元干扰、降低高度和最大限度地增加垂直层数，以实现业内最小单元尺寸。这些创新有助于推动三星实现创建1000层以上3D NAND和闪存解决方案，确保产品适用于数据中心、PC 等应用。

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