据报道，三星预计明年推出的第二代3纳米制程技术大跃进，效能比目前的4纳米制程快超过20%，显示三星将第二代3纳米制程商品化的脚步如期。业界人士认为，这个水准可能威胁台积电。

对于三星第二代3纳米制程效能传出突飞猛进可能造成的威胁，台积电并无评论。

台湾半导体业界人士则指出，台积电年度全球技术论坛重头戏台湾场次将在11日登场，届时将揭露先进制程最新蓝图与进展。过往台积电举行重要技术相关会议前夕，韩国媒体常抱持“输人不输阵”的心态，普遍都会为三星先造势，并高喊三星技术领先，但从过往的经验来看，台积电的实绩仍技高一筹。

产业人士透露，三星将在6月于日本举行的国际超大型集成电路技术研讨会上，透露目前的芯片技术状况，简报说明第二代3纳米制程效能比目前的4纳米制程（SF4）快22%，节能程度提高34%，芯片尺寸也将比上一代缩减21%。

三星发表的这项新资讯意义重大，因为这是该公司首次拿未来的芯片制程与主要的4纳米制程相比。此前，三星都以5纳米制程作为比较下一代技术效能的基准，去年6月首度生产3纳米制程时，便声称效能比5纳米制程（N5）快23%，芯片尺寸缩小16%。

不过，产业专家审慎评估三星的最新进展，能否称为技术能力的重大推进，特别是和台积电的竞争态势。台积电最近宣布其第二代3纳米制程的效能比5纳米制程芯片改善18%，耗能减少32%。

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