三星赴美建厂,二虎相争时代正式来临

原创: 闪德资讯 2020-11-21
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芯片产业作为高风险、高技术含量的产业,谁掌握了核心的制造技术,谁的话语权就大。在顶级的纳米制程上,台积电、三星、英特尔三足鼎立的局面已经形成,制程之争将是未来数年芯片产业的一大常态。美国作为科技强国,自然也明白这样的道理,未来三大厂可能将主要产能放在美国,因为三星近日可能也要去美建厂了。


据韩媒报道,三星将在美国的制造重镇德州奥斯汀建立晶圆厂,主要生产闪存芯片等产品,投资规模100亿美元,月产能约7万片。三星方面尚未透露本次建厂的目的和动机,但是业内基本猜测或许是迫于美国投资者的压力。


据悉,三星的产能主要集中在韩国和中国西安,其中三星12英寸闪存芯片二期项目近日备受关注,总投资1010亿元,已经开始建设,助力三星生产3D V-NAND芯片,预计2021年上半年建成投产,2022年完成全部投资并实现满产。建成后,三星西安闪存芯片产能将占三星电子全球产能的40%以上,年产值将突破1000亿元,将是全球规模最大的闪存芯片生产基地。


三星闪存芯片在全球的市占率遥遥领先,而中国的存储客户无疑是三星最大的资源和金主爸爸。三星在西安的厂主要是定位在生产高端存储芯片,一旦产能满载将冲击整个存储行业。


之所以如此重视产能,这是因为三星的半导体2030计划,为了抢攻在2030年成为非记忆体半导体龙头地位,三星已经和ASML公司协商,订购最先进的EUV光刻机设备,未来的制程之争将集中在5nm和3nm节点上,目前,仅有三星和台积电具备这样的实力。


二虎相争的时代



台积电在今年5月提出赴美建厂,11月已经正式获批,美国给台积电提供了地和资金支持,初步投资金额就达到了120亿美元,预计要在四年后才能够正式建成。据悉,台积电在今年5月宣布有意在亚利桑那兴建晶圆厂,该厂将成为美国第一座最先进制程晶圆厂。


美国美国当地时间18日,亚利桑那州凤凰城市议会于当地时间18日以9票赞成0票反对通过台积电投资协议。根据协议,台积电将在当地投资120亿美元兴建5纳米晶圆厂,最快明年初开建,2024年进入量产。凤凰城市政府将提供2.05亿美元,用于改善道路及水源等基础建设,联邦政府也将对台积电进行补助,但补助金额并未透露。


根据协议内容,凤凰城政府计划拨款2.05亿美元用于改善基础建设,其中0.61亿美元兴建3英里道路,0.37亿美元改善水源,1.07亿美元提升废水处理能力。台积电将在选定建厂位置后,与亚利桑那州凤凰城签下正式开发协议,预计年底前可正式拍板定案,2021年年初开工建设。


7nm工艺是半导体产业一个非常重要的转折点,而要想获得非常好的良率,引入EUV技术是7nm工艺的关键,同时这项技术也是摩尔定律延续到5nm以下的关键技术,引入EUV工艺可以大幅提升性能,缩减曝光步骤、光罩数量等制造过程,节省时间和成本。不过,引入EUV技术并不容易,其需要投入大量资金购买昂贵的EUV设备,同时需要进行大量的工艺验证以确保在生产过程中获得较佳的良率,才能以经济的成本适用于生产芯片。在制程方面,台积电追求的是良率,三星的策略更激进,三星全球第一家导入GAA工艺以取代FinFET工艺的,而台积电比较保守,3nm还是用FinFET,2nm上才会使用GAA工艺。


对于美国自己的英特尔,这几年的表现的确落后了先进技术不止一点。英特尔似乎在制程上似乎落后两个对手不少,尤其是7nm这个点,几乎没有什么大的进展。还是集中在10nm工艺,美媒报道称,他们更集中精力研发10nm工艺,2021年加速10nm工艺的推进,可能会量产10nm芯片,7nm仍是遥遥无期。


英特尔在6月份曾表示,由于生产上遇到缺陷,其7nm制程处理器的上市将推迟6个月,最晚要等到2023年。英特尔CEO鲍勃·斯旺透露,如果不能及时生产7nm芯片,其将委托第三方代工厂商。


未来,对于芯片研发产业而言,三星和台积电的制程之争将是影响整个芯片产业的一大关键。随着三星的赴美建厂,三国争霸时代或许将变成二虎相争,激进前行。



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