存储器是半导体三大支柱产业之一。近年来，为了适应小体积、大容量等市场需求，NAND FLASH制造技术向3D技术发展。

3D NAND FLASH通过增加立体硅层的办法，既提高单位面积存储密度，又改善存储单元性能。3D NAND FLASH不仅能够增加容量，也可以将成本控制在较低水平。3D NAND比20纳米级产品的容量密度高，读写速度快，耗电量节省，采用3D NAND Flash存储器的固态硬盘(SSD)其电路板面积也较小。3D技术不仅使产品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。

NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史。随着SK海力士（SK Hynix）与英特尔（Intel）大连厂收购案的成形，闪存（NAND Flash）产业的整合也拉开序幕。

TechInsights的高级技术研究员崔正东（音）近日表示，在今明两年1xx层堆叠是主流，200层以上堆叠预计将在2023年实现。崔正东还特别强调，单纯看堆叠层数可能会带来一些误导，这是因为在一些3D NAND闪存中除了带有存储单元的有源层之外，还包括一些“伪字线”用于减轻层数过多产生的各种问题。

其实，3D NAND层数的堆叠也面临一些挑战，比如随着层数的增加，越来越难以达到孔所需要的长宽比，早先预计只能到100层左右，现在已经大大突破了这个仅限，但是难度也越来越高。

这就像半导体工艺，7nm、5nm在十多年前是几乎不可想象的，但现在已经实现，3nm、2nm也在不断取得重大突破，但挑战难度是指数级增加的。基于目前的堆叠方式，预计极限大概在500层左右。

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