存储芯片行业重大变局

原创: 闪德资讯 2020-11-24
阅读量 1733


存储器是半导体三大支柱产业之一。近年来,为了适应小体积、大容量等市场需求,NAND FLASH制造技术向3D技术发展。


3D NAND FLASH通过增加立体硅层的办法,既提高单位面积存储密度,又改善存储单元性能。3D NAND FLASH不仅能够增加容量,也可以将成本控制在较低水平。3D NAND比20纳米级产品的容量密度高,读写速度快,耗电量节省,采用3D NAND Flash存储器固态硬盘(SSD)其电路板面积也较小。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。


NAND非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史。随着SK海力士(SK Hynix)与英特尔(Intel)大连厂收购案的成形,闪存NAND Flash)产业的整合也拉开序幕。



TechInsights的高级技术研究员崔正东(音)近日表示,在今明两年1xx层堆叠是主流,200层以上堆叠预计将在2023年实现。崔正东还特别强调,单纯看堆叠层数可能会带来一些误导,这是因为在一些3D NAND闪存中除了带有存储单元的有源层之外,还包括一些“伪字线”用于减轻层数过多产生的各种问题。


其实,3D NAND层数的堆叠也面临一些挑战,比如随着层数的增加,越来越难以达到孔所需要的长宽比,早先预计只能到100层左右,现在已经大大突破了这个仅限,但是难度也越来越高。


这就像半导体工艺,7nm、5nm在十多年前是几乎不可想象的,但现在已经实现,3nm、2nm也在不断取得重大突破,但挑战难度是指数级增加的。基于目前的堆叠方式,预计极限大概在500层左右。

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