武汉新芯集成电路制造有限公司（以下简称“武汉新芯”）作为武汉在集成电路领域布局最早的代表性企业，已在闪存研发制造领域深耕十多年，近年来还着力布局自有品牌NOR Flash业务。日前武汉新芯科技XMC公司研发的50nm工艺、浮栅极NOR闪存正式量产出货，容量16Mb到256Mb，工作温度范围可达-40℃到105℃。

以下是我国做存储芯片的代表性企业的业务模式大致情况：

NOR闪存不同于NAND闪存，性能及容量全都落后于后者，但是可靠性高，目前主要用于各种嵌入式领域，比如车载电子、物联网等等，而武汉新芯是国内主要的NOR闪存供应商之一。

全球NOR闪存主流工艺还停留在90-65nm工艺，新芯科技这次量产的50nm工艺NOR已经很先进了，这次推出的主要是Floating Gate浮栅极工艺SPI NOR Flash宽电压产品系列XM25QWxxC闪存，支持低功耗宽电压工作，可为物联网、可穿戴设备和其它功耗敏感应用提供灵活的设计方案。

XM25QWxxC系列闪存在1.65V至3.6V电压范围内读取速度可达133MHz（在所有单/双/四通道和QPI模式下均支持），工作温度范围可达-40℃到105℃。在电源电压下降后，时钟速度没有任何减慢，其传输速率可以胜过8位和16位并行闪存。在连续读取模式下能实现高效的存储器访问，仅需8个时钟的指令周期即可读取24位地址，从而实现真正的XIP（execute in place）操作。

武汉新芯的50nm产品在Channel length、Layout、Design rule以及外围电路方面都做了优化，有效节省芯片面积，综合成本全球最低。其中256Mb大容量宽电压产品die size比市场主流产品缩小15%-20%左右，且可支持SOP8小尺寸封装形式。

自2008年第一片NOR Flash晶圆下线以来，武汉新芯在闪存领域已积累了十多年的研发制造经验，通过与闪存领域世界级企业Spansion（现 Cypress）联合研发，不断迭代工艺技术，武汉新芯NOR Flash工艺节点已从最初的90nm延伸到65nm，甚至到更先进的45和32nm。凭借先进的工艺制程控制水平和稳定的品质保证及供货能力，武汉新芯已成为全球知名大客户的信赖伙伴。

2016年，全球半导体行业持续上演深度调整与整合，市场经历小幅的衰退，武汉新芯需要重新考虑公司如何在已有业务的基础上，寻求新的利益增长点？

此时国内半导体厂商都聚焦在高端工艺的追逐。为有效管控企业风险和平衡产能利用率，武汉新芯选择另辟蹊径，决定深入挖掘深耕多年的NOR Flash业务的增长新路径。

据官网介绍，武汉新芯集成电路制造有限公司成立于2006年，为全球客户提供专业的12英寸晶圆代工服务，专注于NOR Flash和CMOS图像传感器芯片的研发和制造。

目前，武汉新芯在上海、苏州、深圳、日本等地均设有办事处，为中国和世界各地的客户提供业务和技术服务。

武汉新芯是中国乃至世界领先的NOR Flash供应商之一，产品覆盖全球工商业市场。武汉新芯生产的CMOS图像传感器芯片集高性能、低功耗的优点于一体，广泛应用于智能手机市场。

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