三星或采用铪基薄膜铁电制造1000层NAND ssd新闻存储新闻

三星或采用铪基薄膜铁电制造1000层NAND

2024-05-15

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据韩媒《朝鲜日报》报道，三星电子正在加强其对NAND闪存的研发工作，重点关注被称为「铪基薄膜铁电（hafnia ferroelectrics）」的下一代存储半导体材料。其目标是通过将3D NAND从目前的200至300层提升到令人印象深刻的1000层来显著提高SSD的容量。

业内消息人士透露，三星电子正将其研发能力集中在基于铪基薄膜铁电的3D NAND技术上，并与包括韩国科学技术院（KAIST）在内的主要研究机构合作。铪基薄膜铁电是一种有望取代传统3D NAND堆叠技术中使用的氧化物基薄膜的材料，有望增强耐用性和稳定性。

从2D NAND到3D NAND的过渡是由前者的局限性推动的，前者在技术上无法超越10nm范围。三星电子于 2013 年率先将 3D NAND技术商业化。虽然2D NAND可以比作独立的房子，但垂直堆叠单元的3D NAND类似于公寓楼。与 2D NAND 相比，它提供更快的速度、更大的容量和更低的功耗。

然而，3D NAND技术面临着巨大的挑战，特别是在制造过程中。创建薄膜堆栈需要精确地沉积多个薄层，因为任何缺陷或厚度变化都会显着影响设备性能。随着层数的增加，蚀刻技术的挑战也在不断升级，在整个层中保持均匀的孔径被证明是极其困难的。

铪基薄膜铁电是应对这些挑战的解决方案，与氧化物基材料相比，可提供更薄、更坚固的薄膜。这使得实现更薄的薄膜成为可能，超过10nm的尺度，并促进了更容易的蚀刻工艺。此外，该材料对数据记录的电压要求较低，并减少了漏电，从而增强了芯片性能。

三星电子的一位官员表示：「我们的目标是在几年内开发1000层NAND，将我们的研发工作集中在将基于NAND的固态硬盘（SSD）的容量提升到PB级。」

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