良率接近N3E，台积电按计划下半年投产N3P ssd新闻存储新闻

2024-05-17

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台积电近期分享N3家族的最新进度，N3P按原订计划于下半年投产，跟N3E相比，N3P有望提高性能效率和电晶体密度。

至于已经投产的N3E，台积电高层指出，按计划于去年第四季开始量产，看到客户产品都有出色产量表现，而N3E的D0缺陷密度与N5相当。对台积电客户来说，他们能相对较快地从改进制程中获益。

最初的N3（又名N3B）生命周期较短，苹果是唯一主要客户。N3E制程为N3B宽松版本，取消一些EUV层，也牺牲一些电晶体密度，但有助于降低生产成本，并扩大制程窗口和良率。目前N3E将为台积电广大客户采用，包括许多业界最大芯片设计公司。

至于今年下半年又有最新进展，即N3P制程。据悉，N3P已经完成认证，良率表现接近N3E。在相同漏电率下，N3P制程能提高4%性能，或在相同时钟频率下功耗降低9%，电晶体密度提高4%。

由于N3P是N3E光学微缩版，IP模组、制程规则、电子设计自动化（EDA）工具和设计方法等都与前者相容，因此台积电预计大多数新推出的下线（Tape-Out）将使用N3P，而非N3E或N3，因为N3P成本比N3 低，性能效率却比N3E高。

台积电高层指出，目前已成功交付N3P技术，也通过认证，良率、性能接近N3E。该技术也获得产品客户下线，预计下半年开始生产。由于N3P的优势，预期N3上大部分下线将转至N3P。

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