据闪德资讯获悉，旺宏电子宣布，为应对存储器市场供应紧张，公司计划将2026年资本支出提升至220亿元新台币，重点扩充MLC NAND闪存产能。

由于前期厂房设施已建设完成，扩产周期显著缩短，预计12英寸晶圆月产能将由当前2万余片提升至3万片，年底可新增近万片产能。

旺宏2025年资本支出为18亿元新台币，今年计划支出同比增幅逾11倍。

疫情期间公司曾规划近400亿元新台币扩产投资，后因市场行情变化调整至180亿元新台币，主要用于采购高端设备及建设厂房基础设施。

当前仅需安装新设备即可快速释放产能，预计可节省约一年至一年半的建设周期。

关于库存，公司NOR闪存库存占比较高，而SLC NAND与MLC eMMC NAND闪存库存水平较低，当前销售产品多为近期生产。

并提到，随着三星等原厂宣布停止eMMC NAND闪存供应，市场短缺加剧；旺宏在中高密度产品领域技术储备完善，除全球四大主要供应商外具备量产能力，此次扩产将有助于把握市场机遇。

并提及存储供需紧张态势短期难以缓解，新建产线需要2-4年周期。

鉴于3D NOR闪存主要面向汽车电子领域，当前市场需求平稳且需较长客户验证周期，公司决定将该产品推出时间推迟两年，优先保障紧缺产品产能。

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