据闪德资讯获悉，三星电子正考虑调整DRAM产能结构，以优化整体盈利能力。

三星计划将1a纳米制程的通用DRAM产能削减30%-40%，这部分产能主要用于生产HBM3E。

并将更多产能转换为1b纳米制程，以增加DDR5、LPDDR5x等通用DRAM的生产。

推动调整的主要原因是市场动态变化，因AI服务器对通用内存需求同样强劲，DDR5价格自2025年初上涨了60%。

目前，1b纳米制程生产的通用内存所获得的利润，已超过了1a纳米制程生产HBM。

三星虽然是英伟达的HBM3E供应商，但供货规模相对有限，以及平均售价SK海力士低30%，从2026年起价格还将再降30%。

基于上述因素，若三星转换为1b纳米制程后，月产能有望额外增加约8万片晶圆。

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