据闪德资讯获悉，三星电子正为全球最大定制半导体设计公司博通供应HBM4。

三星明年将量产的的HBM4，在性能测试中超出预期。

同时凭借比SK海力士更低的价格，以及充足供货能力，在性价比和定制化AI芯片设计方面与博通的需求高度契合。

业内人士表示，其他竞争对手HBM4存在发热问题，被英伟达要求重新设计，而三星没有传出类似的问题消息。

明年HBM市场竞争关键在HBM4，三星和SK海力士处于同一起跑线。

此前在HBM市场稍显落后的三星，为提升HBM4性能，已在DRAM和逻辑芯片的先进封装等方面进行了差异化尝试。

半导体业界对此评价较为积极。

同时，三星电子已获得英伟达明年SOCAMM2产品超过一半的供应份额。

英伟达向存储原厂提出SOCAMM年度需求量约为200亿Gb。

三星正在洽谈承接其中100亿Gb的订单，相当于约8.3亿颗24Gb LPDDR DRAM芯片，预计需动用每月总DRAM产能的约5%。

剩余大部分需求由SK海力士承接，美光获得少量份额。

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