经过短暂的调整之后，本周国内存储市场再度升温。
无论是DRAM还是SSD，市场上供应方面都有些紧张，价格再次呈现上涨趋势。
业界指出，目前存储行业的现状，已经引发了结构性变化，尤其是DDR4产品。
因为三大原厂不可能再回头生产DDR4。
另外，在HBM和DDR5的高利润产品上，也被带动价格上涨，各类产品全面上涨势头形成。
现在去找原厂下订单，彼此更多讨论的是确保供货，而不是纠结价格的问题。
根据了解，原厂的库存水位大幅下降，DRAM库存大概在两周左右，基本处在一边生产，一边发货的状态。
NAND的库存水位稍微好一点，在一个月左右。
由于AI服务器需求太多，2026年的HBM产能全部被提前预定，生产HBM需要的晶圆是普通内存的三倍，同时每个月增加10000片晶圆，资本开支就增加100亿美元，投入巨大。
为了确保大客户供应，原厂未来的资本开支都需要大幅提升。
当原厂的产能越来越多转移到服务器类订单，消费端产品就暂时顾不上了，现货市场反应特别明显。
具体产品来说，DRAM市场询单活跃，但现货紧缺，交易难度增加。
SSD市场，主控严重缺货，生产成本上升和交期延长，补货困难。
Flash Wafer市场，晶圆合约价持续上涨，库存迅速下降。
USB市场保持稳定，报价有所上调，货源不太稳定。
整体而言，市场上的存储资源较少，大面积缺货和断货成为常态，现货市场比较活跃，看涨氛围浓厚。
存储上涨势头已经扩散到方方面面，短时间内现状很难改变。
注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。
SSD固态市场
晶圆端持续上涨，主控芯片供应紧张程度超出预期，缺货状况加剧，其成本上升与交期延长，导致SSD整机及模组难以及时补货。
电商平台与线下实体店均已出现明显调价行为，部分热门规格产品出现断货或限量供应。
现货市场询单频繁、报价混乱，贸易商之间互探价格，投机情绪明显升温。
整体市场看涨氛围浓厚，保持合理库存，留意原厂动态。
本周NVME3.0大致报价，除240G容量不变，其它容量呈上涨态势，涨幅均在2%上下。
本周NVME4.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-4%左右。
本周SATA3.0市场报价，除120G容量不变，其它容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-4%左右。
DRAM内存市场
本周DRAM市场价格除D3下跌外，D4系列延续反弹行情，涨势依然强劲，部分D4服务器颗粒2天内涨幅10%左右。
目前渠道商与小型OEM厂商订单达成率普遍偏低。
市场询单活跃，但由于现货紧缺，多数交易难以执行。
从当前市场情绪判断，预计短期价格仍将维持上行趋势，好行情依然存在。
本周内存OEM市场报价，D4板块，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-6%左右。
D3板块，所有容量呈下跌态势，跌幅区间在7%-10%左右。
FLASH颗粒市场
本周Flash Wafer固带晶圆原厂合约价延续涨势，原厂依旧无大货放出，现货市场库存已到低点，也为持续上涨提供了坚实基础。
目前HBM利润显著高于其他半导体产品，原厂在Q3财报表现亮眼，产能利用率维持高位，供应紧张态势短期内难以缓解。
除非AI服务器需求出现意外放缓，促使产能回流至其他产品，但目前来看这一可能性较低。
适当备好库存，密切关注原厂与头部企业之间的长期合约价格走势。
FLASH颗粒市场
本周USB市场保持稳定，晶圆端持续上调，颗粒价格涨幅较大，下游成本不断攀升，厂商已被迫逐步上调报价，价格传导效应正在整个USB产品链中显现。
TF卡市场整体平稳，大部分厂家货源不稳定，市场现货也不多，观望流水为好。
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本周PCBA大致报价，所有容量保持不变。
本周TF卡市场大致报价，所有容量保持不变。
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