本周存储市场热度持续走高，未见回调迹象，市场行情维持普遍涨价的局势。
主要是受到了原厂再次涨价的影响。
先是闪迪11月合约价暴涨50%，而后三星电子、SK海力士与铠侠等原厂相继启动控货策略，主动削减供应量，并在内部酝酿新一轮价格上调，幅度预计在20%–30%以上。
与此同时，原厂2026年的产能已经排满，三大原厂对新产线投资更加谨慎，新增产线预计最快也要到2027年下半年才能就位，短时间内市场供应紧张的局势无法缓解。
模组厂也被迫作出反应，暂停报价与出货，重新评估成本与定价策略。
报价持续走高，导致下游终端厂商不得不直面成本激增的压力，库存水位持续收紧。
现在市场陷入“卖方惜售看涨、买方犹豫观望”的僵局，库存流动性降低，缺货现象持续蔓延。
代理商虽积极备货，但仍难以覆盖供需缺口。
具体产品来看，DRAM和SSD市场价格大幅上涨，导致报价混乱，买方接受度较低，难以成交。
Flash颗粒市场原厂合约价导致价格拉涨，开始出现有价无市现象。
USB市场也在走高，采购成本持续上升，但订单未同步增加，成交乏力。
整体来看，市场陷入博弈阶段，卖方看涨、买方观望，导致实际成交难以放量。
后续价格的松动，将成为打破当前僵局，改善市场流动的关键。
注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。
SSD固态市场
本周SSD市场报价整体上涨，上游晶圆端持续控货推高Wafer价格，高容量颗粒涨幅尤为显著，导致现货市场报价混乱并出现严重价格倒挂。
目前市场对当前高位成品价格接受度低，成交乏力，陷入“有价无市”状态。
短期来看，在原厂强势控货支撑下，SSD价格易涨难跌，但需警惕AI等领域需求若不及预期，可能引发库存抛售与市场踩踏风险。
保持合理库存维持流速，以平衡市场波动。
本周NVME3.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-8%左右。
本周NVME4.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在3%-8%左右。
本周SATA3.0市场报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-12%左右。
DRAM内存市场
本周DRAM市场价格延续上涨行情，较多型号颗粒价格已很难用于生产成品条，成本价格远超售货价格，模组厂生产压力增大，常规渠道订单难以盈利。
与此同时，利润高度向上游集中，SK海力士通用DRAM营业利润率预计超70%。
消费电子类需求未见明显起色，主要还是行业端需求较为理想。
市场看涨情绪依然浓厚，普遍预计DDR5价格涨势将延续至2026年上半年，但需警惕若合约价上涨过快或终端需求推迟，市场情绪可能在2026年初有所降温。
本周内存OEM市场报价，D4板块，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-8%左右。
D3板块，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在3%-8%左右。
FLASH颗粒市场
本周Flash Wafer固带晶圆原厂合约价持续强势拉涨，其中128G QLC Wafer自10月以来累计涨幅已接近100%，手持库存的商家获利极其丰厚。
多数中间商和模组厂已难以追高建仓，市场有价无市现象开始显现。
模组厂面临成本压力，部分暂停报价以重新评估市场，下游商家则跟涨惜售。
伴随Wafer大幅上调，直接推高了移动设备、智能终端的BOM成本。
短期价格易涨难跌，实际成交以刚需为主，投机行为增加，市场风险积聚。
FLASH颗粒市场
本周USB市场报价呈震荡走势，采购成本持续上升，但成品订单并未同步增加，询盘虽多，但成交乏力，市场流水为主。
TF卡市场大容量价格上涨，缺乏真实需求的支撑，市场观望居多。
本周PCBA大致报价，所有容量保持不变。
本周UDP大致报价，除16G下跌8%、128G下跌2%外，其它容量呈上涨态势，涨幅区间在1%-4%左右。
本周TF卡市场大致报价，除8G下跌4%外，其它容量呈上涨态势，涨幅区间在2%-14%左右。
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