本周存储市场各类产品上涨趋势再度升级，价格持续拉高。
AI的旺盛需求导致DRAM产能被挤压，以OpenAI的ChatGPT生成式AI为例，对存储资源的消耗需求每年水涨船高。
2025年仅GPT-5模型全球用户的新增请求，就占全球DRAM供给的25%，NAND为22%。
若2026年需求进一步翻倍，占比分别提升到43%和39%，足以吞噬全球存储新增的产能。
在这背景下，DRAM、NAND Flash、SSD及HDD四大核心产品线全面陷入短缺，上游三大原厂库存已降至低位。
这也导致供需缺口持续拉大，直接带动存储产品价格进入快速上行通道。
第四季度至2026年上半年，DDR4合约价涨幅就达到20%-30%。
市场结构正从供需平衡，迈向供给主导，终端厂商议价权进一步削弱。
具体产品方面，DRAM市场，SSD成本急剧上升，涨势过猛，现货有限，市场部分暂停报价。
DRAM市场，价格持续冲高，创下年度最大单周涨幅，看涨情绪高涨，炒作势头依然强劲。
Flash颗粒市场，成交价普遍较合约价溢价20%以上，贸易商全线入场，价格上涨速度快于成交意愿。
USB市场，颗粒市场货较少，价格走强。
整体来看，行情动态和上周类似，供应紧张与涨价过快导致市场需求矛盾激化，炒作势头旺盛，需密切关注市场动态，及时调整策略。
注意：以下市场价格波动较快，以实际成交价格为准。
SSD固态市场
本周SSD市场价格大幅上涨，固态晶圆合约价再次拉涨，推动SSD成本急剧上升。
但因涨势过猛，现货有限，加之OEM厂节后需优先交付前期订单，市场部分暂停报价。
目前原厂产能释放极为有限，“缺货潮”已蔓延至全行业。
由于前期海关严查与终端需求疲软，市场库存本就处于低位。
加之双十一备货周期来临，进一步加剧供应紧张，双十一期间价格回调机会渺茫。
本周NVME3.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在13%-26%左右；
本周NVME4.0大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在11%-24%左右；
本周SATA3.0市场报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在14%-49%左右。
DRAM内存市场
本周DRAM市场价格持续冲高，创下年度最大单周涨幅，内存条涨得比黄金还猛！
商家这周拿货最真实的体验就是，前一个小时还在犹豫价格太高，后一个小时直接后悔没早点下手。
眼下市场看涨情绪高涨，价格丝毫未见回调迹象，炒作势头依然强劲。
本周内存OEM市场报价，D4板块，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在13%-44%左右。
D3板块，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在43%-66%左右。
FLASH颗粒市场
本周Flash Wafer固带晶圆原厂合约价持续上涨，实际成交价普遍较合约价溢价20%以上，贸易商全线入场。
因HDD产能受限，周期拉长，消费类被动拉涨，价格上涨速度快于成交意愿，市场呈现典型的“找货—嫌贵—再找—更贵”的循环。
整体来看，短期市场仍处于强势拉涨阶段，成交重心持续上移，若原厂端继续控产限供，涨势将延续，价格高位盘整或成为新常态。
USB市场/TF卡市场
本周USB市场价格持续上涨，原厂控产提价态度坚挺，颗粒市场货较少。
TF卡市场价格继续拉涨，在原厂没有改变供应策略前，叠加旺季备货需求，价格预计将继续走强，合理备货，不宜追高。
本周PCBA大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在3%-37%左右。
本周UDP大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在30%-47%左右。
本周USB3.0市场大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在4%-23%左右。
本周TF卡市场大致报价，所有容量呈上涨态势，涨幅区间在5%-30%左右。
点击此处关注，获取最新资讯！
18126200184
我的评论
最新评论