据闪德资讯获悉，英伟达对HBM低功耗DRAM模块SOCAMM导入计划作出重大调整。

英伟达决定取消原定SOCAMM1项目，转而全力推进SOCAMM2引入工作，与三星电子、SK海力士及美光三大原厂展开相关测试。

这一转变使美光，面临着三星电子和SK海力士的竞争，在SOCAMM2项目上重回同一起跑线。

英伟达此前积极筹备将主打低功耗的SOCAMM1应用于AI服务器，然而在推进过程中发现了技术问题，最终决定放弃原计划，转而推动采用新规格的SOCAMM2。

目前，英伟达已与三星电子、SK海力士及美光正式开启了SOCAMM2样品测试工作。

SOCAMM是英伟达主导开发的一种专为AI应用设计的内存模块标准。

核心目标是以低于HBM的成本，实现低功耗、大容量的内存配置。

基于LPDDR构建，在功耗方面优势显著，仅为传统服务器用内存模块RDIMM的约三分之一。

SOCAMM2的引脚数量与SOCAMM1均为694个，但数据传输速率提升至最高9600MT/s，高于美光方案SOCAMM1的8533MT/s。

英伟达还在考虑在SOCAMM2中采用LPDDR6，将进一步提升性能表现。

随着英伟达跳过SOCAMM1直接推进SOCAMM2，整个存储行业格局或将迎来新的变局。

AI发展对内存需求增加，引入量有望逐步上升，为存储厂商带来新的业务增长机遇，尤其是三星是否能借此在AI存储领域实现逆转，成为业界关注焦点。

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