据闪德资讯获悉，美光对HBM充满信心，已率先“售罄”。

SK海力士在与主要客户英伟达就明年的供应量进行谈判。

美光首席商务官Sumit Sadana表示，与客户就2026年HBM供货量，谈判取得了显著进展。

并提到12层HBM3E良率提升速度远超8层，12层产品出货量已超过8层。

预计明年供应产品大部分为12层的HBM3E，也可能包含HBM4。

英伟达占AI芯片市场90%份额，SK海力士和美光供应12层HBM3E主流产品。

存储三巨头已向英伟达等主要客户供应HBM4样本。

SK海力士和三星电子计划今年下半年量产，美光目标为明年。

美光的HBM4与HBM3E产品，使用相同1β工艺节点生产，该节点成熟性能优异，而竞争对手计划以1c节点生产HBM4，需额外进行新的技术验证。

关于第七代产品HBM4E，美光表示部分客户希望将GPU逻辑集成到HBM基础芯片上的定制产品。

此类定制开发成本高昂，预计只会与少数供应商合作，可能改变市场结构。

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