据闪德资讯获悉，铠侠宣布，采用第9代BiCS FLASH 3D闪存技术512Gb TLC产品，已开始进行样品出货，计划2026年3月底量产。

第9代产品基于120层堆叠制程BiCS55和最新CMOS技术。

与2022年162层BiCS6产品相比，写入性能大幅提高61%，读取性能提高12%。

能效方面，写入改善36%、读取改善27%。

通过平面缩放实现8%存储密度提升，数据传输速度支持Toggle DDR6.0接口，可实现高达3.6Gb/s的NAND接口传输速率，演示条件下可达4.8Gb/s。

BiCS9为中低容量存储市场提供兼具卓越性能与能效解决方案，也将集成到企业级固态硬盘中，特别是需要提升AI系统GPU性能应用中。

铠侠为应对高端市场多样化需求，持续推行“双轨并行”产品策略：

第九代BiCS FLASH产品，采用CBA（CMOS directly Bonded to Array，外围电路直接键合到存储阵列）技术，融合现有存储单元技术与最新CMOS技术，降低生产成本同时实现性能突破；

第十代BiCS FLASH产品，通过增加存储单元堆叠层数，聚焦未来市场对更大容量、更高性能解决方案需求。

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