据闪德资讯获悉，三星计划在本月底开始提供HBM4的样品，这标志着摆脱HBM3受挫的关键转折。

这一进展使三星在下一代内存竞争中与SK海力士展开正面交锋。

三星的HBM3之路充满挑战，该公司未能获得英伟达的关键认证，严重影响了业绩。

尽管HBM3E的采用率有所提高，但三星至今仍未进入英伟达的主流供应链。

改变格局的关键在于三星的第六代1c DRAM技术，该技术通过先进的制造工艺显著提高了良率。

与以往急于上市的做法不同，三星优先打造符合AMD和英伟达严格要求的可行产品。

HBM4预计将在未来几个季度实现量产，主要面向英伟达的Rubin平台和AMD的Instinct MI400处理器。

激烈的竞争可能会降低HBM价格，使需要大量内存带宽的AI公司受益。

三星的战略重点已从上市速度转向产品可行性，这是HBM3困境中汲取的教训。

如果三星获得英伟达验证，产量或将达到前所未有的水平。

竞争激烈的HBM4市场前景令人振奋。

SK海力士已推出HBM4模块，三星利用制造工艺的改进来巩固市场地位。

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