据闪德资讯获悉，由于第六代高带宽内存（HBM4）及400层以上NAND闪存晶圆日益变薄，现有切割工艺受限。

SK海力士打算为HBM4晶圆切割引入飞秒开槽与全切割工艺，已与激光设备合作伙伴开展新的晶圆切割设备联合评估项目（JEP），部分已进行技术测试。

目前SK海力士采用机械切割（刀片切割）或隐形切割技术，它绘制半导体晶圆电路，再切割成单独的芯片（die），但因HBM4晶圆厚度小于20-30μm，现有方法易致晶圆产生异物、微裂纹，影响良品率。

飞秒激光开槽与全切割工艺利用飞秒激光器产生的超短脉冲微波激光，可减少切割缺陷并实现高精度切割，通过提前开槽或直接全切的方式，有望解决薄晶圆切割难题，提高产品良品率。

SK海力士计划将该工艺应用于HBM4，还推广到400多层NAND，覆盖下一代主要存储产品。

台积电、美光和三星电子已推出用于先进半导体晶圆切割的飞秒激光器，随着SK海力士转向该工艺，有望加快半导体行业飞秒激光技术发展。

SK海力士称还在考虑多种选择，尚未做出具体决定。

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