三星台积电的7纳米竞争，台积电遥遥领先

日韩贸易战加剧，日本管制关键高纯度氟化氢等应用在极紫外光（EUV）原料输韩，直接打乱三星冲刺7纳米以下先进制程布局，预料受原料管制趋严下，三星要藉冲刺先制程抢食台积电晶圆代工大饼的难度大增，并加速台积电拉大和三星差距。

全球半导体观察· 2019-08-05阅读量2431

三星台积电“神仙打架”抢汽车芯片客户，谁比谁强？

10 月 16 日讯，三星和台积电在制程上的“战火”烧到了汽车芯片上。

与非网· 2019-10-17阅读量2083三星

三星叫阵台积电 全力冲刺3纳米

三星14日宣布，将在2021年推出突破性的3纳米制程“环绕式闸极结构”（Gate-All-Around，GAA）技术，具备速度更快、更轻薄短小、耗电更低等优势。

中国IC交易网· 2019-05-16阅读量2807

三星发生良率事故：高通5G芯片全部报废

日前有市场消息传出，移动处理器大厂高通（Qualcomm）交由韩国三星所代工的中端5G处理器 Snapdragon SDM7250因良率问题全数报废的消息，引起一片哗然。因为如果此事属实，未来恐经影响对于高通在5G处理器的供货状况，也可能有助于包括联发科在内竞争对手进一步抢食市场，引起市场人士关注。

新浪科技· 2019-08-22阅读量2673

三星发现全新半导体材料：内存、闪存迎来革命

三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

快科技 · 2020-07-07阅读量2275三星

三星发布首款512GB内存扩展器CXL DRAM

三星宣布开发出旗下首款512GB内存扩展器 （CXL，Compute Express Link）DRAM

2022-05-11阅读量2877三星

三星发布有人工智能的内存处理架构

三星在HBM-PIM上的论文已被选中在2月22日举行的着名国际固态电路虚拟会议（ISSCC）上进行演示。三星的HBM-PIM现在正由领先的AI解决方案合作伙伴在AI加速器中进行测试，所有验证预计将在今年上半年完成。

闪德资讯· 2021-02-22阅读量3120三星

三星发布业内首款12层36GB HBM3E内存，下半年量产

三星电子27日表示，公司成功研发出利用硅通孔技术（TSV）的业界首款12层堆叠第五代高带宽内存（HBM3E）「HBM3E 12H DRAM」，容量达到业内最大的36GB。

2024-02-28阅读量1636三星

三星发布9100 Pro PCIe 5.0 SSD

三星发布了9100 PRO PCIe 5.0 NVMe SSD，该产品是990 PRO的继任者。

2025-02-26阅读量1131三星

三星发布256GB SD Express microSD卡

2024-02-29阅读量1766