据《韩国经济日报》引述业界消息报道,三星的HBM小组主要负责DRAM、NAND闪存的研发与销售。三星执行副总裁兼DRAM产品与科技长HwangSang-joon将负责带领新团队。这是三星1月启动HBM任务团队以来,第二个聚焦HBM的小组。三星正在加大力道,盼能超越在先进HBM领域拔得头筹的SK海力士。三星2019年因错误判定市场不会显著成长,解散了当时的HBM小组。为了争夺AI芯片市场的领先地位,三星将追求「双轨」策略,同时开发两种尖端内存芯片:HBM和Mach-1。三星计划今年下半量产HBM3E、2025年投产下一代HBM4。HBM3E是表现最佳的AI用DRAM,也是第五代DRAM记忆体,之前几个世代为HBM、HBM2、HBM2E及HMB3。三星也准备研发次世代用于AI推论的加速「Mach-2」。Kyung指出,三星必须加快研发Mach-2,因为客户对此展现浓厚兴趣。
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