三星跳电事件激励买方预期性补货，2020年第一季 DRAM合约价起涨

根据某机构最新调查，随着近一个月来 DRAM 现货价格持续走扬，加上 2019 年 12 月 31 号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。因此，机构再次修正 2020 年第一季 DRAM 合约价格预测，由原先的“大致持平”调整为“小涨”，价格正式提前翻转向上。

集邦· 2020-01-09阅读量2935三星

三星赴美建厂，二虎相争时代正式来临

芯片产业作为高风险、高技术含量的产业，谁掌握了核心的制造技术，谁的话语权就大。在顶级的纳米制程上，台积电、三星、英特尔三足鼎立的局面已经形成，制程之争将是未来数年芯片产业的一大常态。美国作为科技强国，自然也明白这样的道理，未来三大厂可能将主要产能放在美国，因为三星近日可能也要去美建厂了。

闪德资讯· 2020-11-21阅读量3033三星

三星赢下2nm代工客户订单

最新消息，三星电子拿下了日本AI公司Preferred Networks的2nm AI加速器订单。

2025-01-02阅读量1149三星

三星调整西安工厂运营，英伟达躺枪

在西安封城措施下，三星西安闪存厂由「紧急运营」状态改为「调整运营」。

2021-12-30阅读量3613三星

三星认证加持IC载板业务 兴森科技业绩有望稳步提升

兴森科技以“通过三星认证，正式成为三星唯一的大陆本土IC载板供应商”让人眼前一亮。

搜狐· 2019-04-16阅读量2467

三星计划明年生产第9代V-NAND闪存

2023-08-19阅读量1945

三星计划扩大DRAM产能

2024-07-01阅读量1835

三星计划5月推出290层3D NAND，明年目标430层

三星准备在下个月推出第9代V-NAND（3D NAND闪存），预计将提供290层堆叠，比该公司于2022年首次推出的236层第八代V-NAND有进一步的提高。

2024-04-16阅读量1999三星

三星计划 2021 年建成第三所综合性半导体工厂

据韩国媒体ETNEWS报道，三星电子计划新建一家大型半导体工厂。鉴于面积比上一个增加了 50% 以上，因此，它采用"综合半导体工厂"的形式，同时生产 DRAM、NAND 闪存和其他器件，并有望引入最新的工艺技术。

ETNEWS· 2020-06-23阅读量2534三星

三星西安闪存厂已启用 8月产能达6.5万片

三星 (Samsung) 已按计划启动了其位于中国西安的新闪存工厂，开始量产闪存晶圆。

2020-03-24阅读量2761三星