三星闪存将"报复性"涨价！

据外媒报道，受半导体材料限制出口影响，及东芝工厂停电事故。三星电子将借机带头调整NAND Flash闪存芯片的价格，幅度10%左右！

中国半导体论坛· 2019-07-10阅读量2885

三星量产最薄LPDDR5X DRAM

三星紧凑型LPDDR5X DRAM封装高度仅为0.65毫米，可增强热控制，适用于设备上的AI移动应用。

2024-08-06阅读量1832三星

三星量产QLC第9代V-NAND

最新的QLC V-NAND结合了多种突破性技术，包括通道孔蚀刻，可通过双堆栈结构实现业内最高的层数

2024-09-12阅读量1918三星

三星重新设计1c DRAM提高良率

三星电子自去年下半年起正在对最尖端DRAM进行重新设计

2025-02-12阅读量1578三星

三星采用新工艺研发HBM4

2023-12-27阅读量2098

三星通过英伟达HBM3E质量测试？

据韩媒newdaily报道，三星电子终于通过了英伟达第五代 HBM（高带宽内存）HBM3E Qual Test（质量验证）的测试。预计很快将完成以下程序，正式开始量产供应HBM。

2024-07-04阅读量1949三星

三星通知DRAM、NAND即将涨价 涨幅均超两位数

​在低迷了一年多之后，预计存储芯片的合约价格在今年二季度将会有明显上涨。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格，预计在今年二季度的涨幅将达到两位数。NAND 闪存和 DRAM 内存的合约价格在二季度上涨，主要是得益于需求的增长。

闪德资讯· 2020-03-15阅读量3533

三星追赶台积电，2025年量产2nm制程

晶圆代工龙头台积电公布2纳米制程2025年开始量产之后，三星为了迎头赶上，正加码押注3纳米环绕闸极技术（GAA）技术，将在未来三年完成建立GAA技术的3纳米芯片制程，并在2025年量产以GAA制程为基础的2纳米芯片

2022-06-21阅读量2190三星

三星进军化合物半导体代工市场，预计2025年提供氮化镓产品

据韩媒BusinessKorea报道，三星电子即将进军氮化镓市场，目的是为了满足汽车领域对功率半导体的需求。

2023-07-10阅读量1830三星

三星转移DRAM产能给CMOS

报道指出，目前三星在全球CMOS 图像感测器的市场占有率仅次于SONY。目前三星的CMOS 大客户以中国手机品牌商小米及OPPO 为主，以小米11 为例，在前后4 颗摄影镜头，其中多达4 颗的元件都是三星的ISOCELL 方案。

闪德资讯· 2021-01-08阅读量2582三星