四月中旬，长江存储发布了128层闪存产品，预示着中国半导体进入了一个新的阶段，同时也让各大厂的动作变得紧张起来！为了拉大与中国半导体公司的差距，三星电子通过工艺改进提高芯片生产效率。

三星电子（Samsung Electronics）以数据单位衡量，半导体产量增加了约40%，同时将晶圆输入量保持在与去年类似的水平。

三星电子在2019年花了1.86万亿韩元购买晶圆。前一年，它花了1.66万亿韩元购买晶圆。考虑到2019年新晶圆的价格同比增长了12%，这两年晶圆的投入量几乎没有变化。

另一方面，三星电子2019年的半导体产量为8890亿Gb，较2018年的7110亿Gb增长39%。三星电子（Samsung Electronics）通过工艺改进而非设备扩建（这需要增加晶圆投入）来增加半导体供应和盈利能力。

三星电子在半导体领域的投资在2017年达到27.35万亿韩元的峰值后，在2018年和2019年分别下降至23.72万亿韩元和22.56万亿韩元。但它的生产力显著提高。2020年，其计划是灵活应对半导体市场的变化，重点是工艺改进。

三星电子也在加速其半导体微制造工艺。对于DRAM，芯片制造商正在努力将其第一代10nm（1x）工艺转换为第二代（1y）或第三代（1z）工艺。随着DRAM生产工艺的升级，单晶片生产的半导体芯片数量增加了20%到30%。特别是，在采用极紫外（EUV）工艺大规模生产第四代10nm（1a）DRAMs的情况下，与1x工艺相比，每片晶圆的半导体产量可以加倍。

三星电子也在2019年成功量产了第六代（1xx层）NAND flash。第六代NAND flash比第五代（9x层）产品的芯片尺寸更小，其每片晶圆的生产率比第五代（9x层）产品高出约20%。三星电子（Samsung Electronics）预测，NAND flash的比特总量（每比特单位半导体产量的增长）在2020年也将在30%以内，因此半导体出货量的数据预计将进一步增加。

一些半导体行业专家表示，由于三星具有压倒性的成本竞争力，中国对半导体行业的巨大押注实际上不会得到回报。最近，YMTC宣布将在2020年量产128层NAND闪存，但明显落后于三星的第六代产品。据报道，三星电子的第六代产品采用了通道孔蚀刻技术，通过蚀刻工艺一次钻取100多个电池，而YMTC则采用了在64层NAND闪光灯上叠加64层NAND闪光灯的方法，与三星相比，这是一种较低的技术。目前，三星电子（Samsung Electronics）是唯一一家可以通过一次蚀刻工艺批量生产9层或更高级别3D NAND闪存的芯片制造商。

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