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含“
3D NAND
”搜索结果为 540 条
东芝停电产线恢复生产,
NAND
Flash将重回供过于求?
随着日韩贸易战的升温,再加上自6月以来,东芝因为停电事件所造成全球NAND Flash产能约5%的缺口,使得过去一段时间以来,NAND Flash的市场价格由止跌回稳的情况。
爱集微· 2019-08-09
阅读量
2415
东芝、美光减产
NAND
Flash喊涨
NAND Flash大厂东芝记忆体的四日市晶圆厂区6月中发生停电且停工一周才复工,并已通知客户第三季NAND Flash出货量将大幅减少,加上美光宣布将把NAND Flash减产幅度由5%提高至10%,近期NAND Flash现货价格止跌。
中国IC交易网· 2019-06-28
阅读量
2877
东芝
NAND
产线重启或使供给过剩情形恶化
东芝已重启6月中旬因停电而暂停生产的储存型快闪记忆体(NAND Flash)产线,可能使市场供给过剩情形恶化。
中国IC交易网· 2019-08-07
阅读量
2800
业界传出Marvell缩编台湾
NAND
团队
业界近日传出,因应NAND Flash行情不佳影响,加上美中贸易战限制,使Marvell的NAND Flash控制IC业务受到冲击,且将会裁撤中国台湾Marvell的NAND Flash控制IC的团队。
2023-11-17
阅读量
1690
NAND
世迈科技:Q2 DRAM涨势趋缓,
NAND
将调涨15%~20%
上游DRAM/NAND Flash供应商正持续拉高产能利用率,因此下半年供需比将会是关注焦点。
2024-04-25
阅读量
2130
NAND
与SK海力士一教高下!三星证实明年推300层以上V-
NAND
韩国存储大厂三星分享V-NAND(即3D NAND)发展计划,证实2024年将生产超过300层的第九代V-NAND闪存,这将是业界最高层数。
2023-10-20
阅读量
1847
NAND
下半年
NAND
位元增速将下滑
受AI快速发展推动的半导体超级周期已经开始,但预期的NAND闪存产量激增尚未实现。
2024-08-13
阅读量
1715
上半年DRAM和
NAND
低于先前预期
Hana预测三星电子与SK海力士生产的本季DRAM价格将比上季跌30%;Susquehanna表示今年上半年DRAM和NAND晶片价格将“低于先前预期”。
中国IC交易网· 2019-03-11
阅读量
2812
三星:将逐季调涨
NAND
价格20%,直到明年Q2
三星电子决定在明年第1季与第2季将NAND价格调涨20%,接续在今年第4季涨价10%至20%的调涨行动。
2023-11-02
阅读量
1894
NAND
三星预计2024年初开始量产下一代
NAND
闪存
三星电子披露了该公司在内存芯片方面的最新开发进展,并展现了三星对于存储芯片密度极限和开发突破性材料的雄心。
2023-10-18
阅读量
1667
NAND
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