含“3D NAND”搜索结果为 540 条
迎接高密度NAND闪存 联芸实现4K LDPC纠错技术突破
追求存储密度以降低存储成本不断推动着NAND闪存技术的发展。NAND闪存技术已经从最初的SLC时代,跨越MLC、TLC向QLC时代快速演进,并且从最初的2D平面技术全面切换到3D堆叠技术
2020-04-14阅读量3359
西部数据考虑分拆NAND Flash业务
西部数据(Western Digital Corp. ,WDC)的股东Elliott Investment Management 于当地时间3日呼吁,西部数据应该将闪存(NAND Flash)业务独立出来,并提议投资10亿美元协助出售或进行分拆事宜
2022-05-06阅读量2623
西部数据示警:NAND行情转趋困难,暗示延后建新厂
由于NAND Flash行情需求持续降温,David Goeckeler亦表示,在NAND Flash行情逐步转趋困难情况下,公司可能会延后新一座NAND Flash晶圆厂的建厂时间。
2022-09-14阅读量2424NAND
西部数据将HDD和NAND Flash拆分
2024-03-07阅读量1737
西数将拆分NAND Flash部门与铠侠合并
据彭博社报道,经过几个月谈判后,西部数据和铠侠即将达成协议,主要是分拆西部数据NAND Flash闪存部门与铠侠合并。
2023-07-18阅读量2004NAND
英特尔大连NAND闪存业务豁免一年,可继续运营NAND闪存芯片业务
10月11日,英特尔发布推文称,已从美国商务部获得为期一年的授权,可继续运营其当前位于中国大连的NAND闪存芯片业务。
2022-10-14阅读量5226
英特尔MRAM量产在即:DRAM和NAND再遇强敌
在经历2016年中到2018年底的疯狂之后,DRAM内存和NAND闪存的都在2018年出现下跌。价格下跌还不是DRAM内存和NAND闪存最坏的消息。行业资讯网站EETimes不久前发布一份报告显示,英特尔自主研发的商用MRAM(磁阻随机存取存储器)已经做好大批量生产的准备。
天极网硬件频道· 2019-02-23阅读量2837
英特尔144层QLC和TLC NAND发布
据英特尔消息,英特尔宣布对其大多数SSD产品系列进行更新,英特尔的144层QLC和TLC NAND发布。
闪德资讯· 2020-12-17阅读量4802NAND
花旗 : 2019年NAND Flash及DRAM将各跌价45%与30%,第2季前难落底
​对于即将到来的2019年记忆体市场状况,日前外资花旗银行分析师做出的报告指出,2019年在NAND Flash方面会降价45%,而DRAM 方面则会再跌30%。并且,预估到2019年第2季之前还看不到价格底线,这使得各大记忆体厂开始预做准备。
中国IC交易网· 2018-12-12阅读量1103
群联:对2022年NAND市场维持乐观
群联对NAND Flash市场维持乐观。可能的成长动力包括市场从Gen 3转Gen 4,另外,虽然NB的数量不成长但容量成长2倍;第二则是数据中心,配合手机容量成长,这些都是5G环境下产生的新应用,而高速运算等也需要Flash。
2021-11-18阅读量2649NAND

存储未来,赢得先机

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