三星宣布开始量产业内首批12GB LPDDR4X uMCP芯片

作为全球先进存储器技术的领导者，三星今日宣布量产业内首款基于 UFS 多芯片封装（uMCP）的 12GB LPDDR4X 内存解决方案。作为技术日（Samsung Tech Day）活动的一部分，三星在其位于加州圣何塞的设备解决方案（Device Solutions）美国总部发布了这一公告。除了为中端市场客户提供 10GB 以上内存解决方案，这款大容量 uMCP 还可利用业内首个 24Gb LPDDR4X 芯片。

cnbeta· 2019-10-24阅读量3047三星

三星宣布延长工时，SK海力士或跟进

韩国劳动部批准了三星电子半导体系统部门的特殊工时申请

2025-04-21阅读量1271三星

三星宣布已开始量产业界首款第9代V-NAND

三星电子今（23）日宣布，其1Tb TLC第9代V-NAND已开始量产

2024-04-23阅读量1673三星

三星宣布将投入 1,160 亿美元到非记忆体晶片的研发与生产

三星的记忆体部门向来是个金鸡蛋，但就算是金鸡蛋也有褪色的时候－－受到近期DRAM和NAND记忆体价格大跌与智慧型手机出货量下降的影响，三星第一季的营业利润据报下滑了60%之多，因此寻找新的出路成为了当务之急。

中国IC交易网· 2019-04-28阅读量2630

三星宣布完成业界首款GDDR7开发，能效提升20%

三星宣布，已经完成了业界首款GDDR7芯片的开发工作，每个数据I/O接口的速率达到了32Gbps。

2023-07-20阅读量1462三星

三星完成业界最快LPDDR5X验证

三星今（16）日宣布，已成功完成业界最快的10.7Gbps LPDDR5X DRAM的验证，可用于联发科的下一代天玑平台。

2024-07-16阅读量11603三星

三星存储芯片减产，美光等竞对股价应声大涨

4月10日，据彭博社报道，三星电子削减存储芯片产量的消息提振竞争对手的股价，因为此举可能会缓解影响整个产业产能供应过剩问题。

2023-04-11阅读量2131三星

三星字符串堆叠技术可实现200层3D堆叠

当国内存储颗粒厂商还在研究128层堆叠技术，三星等厂商又推出了更高阶的3D NAND字符串堆叠技术，字符串堆叠由单个3D NAND设备相互堆叠组成，举个例子，如果将三个64层3D NAND设备垂直堆叠，最终的芯片将是192层产品。

闪德小编整理· 2020-07-13阅读量3843三星

三星大办3nm芯片出货仪式，但仍未透露客户是谁

三星仍未透露3nm首批客户，仅表示其3nm技术将用于高性能计算（HPC）领域，并计划与主要合作伙伴合作，将其扩展至SoC等多种领域。

2022-07-26阅读量2529三星

三星坚持非人为减产，今年半导体投资与去年持平

三星电子重申了其非人为减产政策，并将2023年资本支出预算维持在2022年水平不变，旨在提高其成本竞争力，以应对第四季度糟糕的半导体销售业绩。

2023-02-02阅读量1957三星