下一代信息存储材料——反铁磁材料

由于技术的不断更新，基于硅的传统电子技术正快速接近其极限，例如物理特性的极限。自旋电子学以及反铁磁材料都是可替代方案，它们可以在相同空间内存储两倍多的信息。

TechSugar· 2020-09-01阅读量7470存储

上海微系统所研制出植入式瞬态可溶蚕丝蛋白存储器

瞬态可溶存储器是皮肤电子与可植入器件中的重要组成部分和信息存储媒介，器件在实现可控降解的同时还需具备稳定的存储和加密功能

2022-04-19阅读量3223存储

三星：明年中国市场存储芯片供应将出现短缺

三星电子最近对其全球主要客户的半导体需求进行了调查。结果表明，各领域客户的存储库存调整已接近完成，从2024年开始，部分地区的DRAM和NAND Flash供应将出现短缺。

2023-10-09阅读量1882存储

三星：存储芯片产量不减，但确保市场不会供应过剩

全球存储器龙头三星电子执行副总裁韩真晚表示，尽管需求减缓，三星并未考虑减产存储芯片，该公司的政策并非刻意减少存储产能，但会确保内存芯片市场既不会长期供应短缺、也不会供应过剩。

2022-10-08阅读量2413存储

三星面临罢工危机，存储市场供需受关注

2024-03-19阅读量1748存储

三星电子最新存储路线图

作为HBM和企业级SSD领域的后来者，三星誓言通过新技术巩固领导地位。

2024-10-29阅读量1789

三星电子对存储市场的最新分析和展望

三星电子在发布财报之后，透露一些关于第四季度和接下来存储市场的最新分析和判断。

2024-11-04阅读量10764存储

三星电子存储利润率约22%

对比三星电子和SK海力士的第三季度业绩，能够看出，两家公司在内存业务上的利润率有明显差距。

2024-11-04阅读量1710存储

三星电子存储业务第一季度有望扭亏为盈

2024-03-11阅读量1751存储

三星率先开发出12层3D硅穿孔堆叠：HBM存储芯片容量提至24GB

随着集成电路规模的扩大,如何在尽可能小的面积内塞入更多晶体管成为挑战,其中多芯片堆叠封装被认为是希望之星。三星称,他们得以将12片DRAM芯片通过60000个TSV孔连接,每一层的厚度仅有头发丝的1/20。

电子产品世界· 2019-10-08阅读量2925