存储芯片涨涨涨,兆易创新年报爽爽爽

2021-04-17
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近期是上市企业披露年报的集中期,4月16日晚间,国内领先的存储芯片上市企业发布2020年财报数据,公司2020年营业收入44.97亿元,同比增长40.40%;归属于上市公司股东的净利润8.81亿元,同比增长45.11%;每股收益1.91元。


在兆易创新的营收里面,存储芯片仍然是公司的大头,也是核心业务。存储芯片营业收入为32.8亿,营收占比为73%,毛利率为35%。据兆易创新介绍,公司2020年营业成本28.2亿,同比增长47.8%,高于营业收入40.4%的增速,导致毛利率下降3.1%。期间费用率为21.5%,较上年升高1.7%。


据兆易创新公告显示,兆易创新公司主要业务为存储器、微控制器和传感器的研发、技术支持和销售。公司产品广泛应用于手机、平板电脑等手持移动终端、消费类电子产品、物联网终端、个人电脑及周边,以及通信设备、医疗设备、办公设备、汽车电子及工业控制设备等领域。公司存储器产品包括闪存芯片(NOR Flash、NAND Flash)和动态随机存取存储器DRAM)。


据悉,NOR Flash 即代码型闪存芯片,主要用来存储代码及少量数据。公司 NOR Flash 产品广泛应用于 PC 主板、数字机顶盒、路由器、家庭网关、安防监控产品、人工智能、物联网、穿戴式设备、汽车电子等领域。


NAND Flash 即数据型闪存芯片,分为两大类:大容量 NAND Flash 主要为 MLCTLC 2DNAND 或 3D NAND,擦写次数从几百次至数千次,多应用于大容量数据存储;小容量 NAND Flash主要是 SLC 2D NAND,可靠性更高,擦写次数达到数万次以上。公司 NAND Flash 产品属于 SLC NAND,广泛应用于网络通讯、语音存储、智能电视、工业控制、机顶盒、打印机、穿戴式设备等领域。


DRAM 即动态随机存取存储器,是当前市场中最为重要的系统内存,在计算系统中占据核心位置,广泛应用于服务器、移动设备、PC、消费电子等领域。因极高的技术和资金壁垒,DRAM领域市场处于高度集中甚至垄断态势。公司从 2020 年开始销售合肥长鑫 DRAM 产品,自有品牌DRAM 产品预计 2021 年上半年推出,主要面向消费类、工业控制类及车规等利基市场。


兆易创新作为 IC 设计企业,自成立以来一直采取 Fabless 模式,专注于集成电路设计及最终销售环节,将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。公司的经营模式是由产品本身的属性决定的,从经济效益考虑,公司目前做的产品多数集中在利基市场,更适合 Fabless 发展模式。从集成电路整体产业链来看,集成电路设计是具有自主知识产权并体现核心技术含量的研发和设计环节,成品销售则是控制销售渠道、客户资源及品牌的销售服务环节,均在产业链中具有核心及主导作用,是 IC 设计行业的原始创新的体现和创造价值的源泉。公司专注于研发设计和产品销售环节,在整个产业链中处于重要地位并拥有核心竞争力。


从销售模式看,公司的销售主要为直接销售与经销两种。直接销售模式下,公司与客户直接签署销售合同(订单)并发货;经销模式下,公司与经销商签署经销商协议,由公司向经销商发货,再由经销商向终端客户销售,在此模式下,采取卖断式销售。


兆易创新年报显示,如今,几乎所有电子设备中都装有芯片,对半导体的需求处于空前高位。市场调研机构 IC Insights 出具报告指出,2021 年 IC 市场规模预估达 4415 亿美元,预计年增 12%,保持连续第三年双位数成长。


2020 年疫情后,人们更多采用远端互动,刺激笔电与数据中心需求,带动 2020年 IC 市场年增 10%,成为逆势成长的产业。电脑、通讯、消费、汽车、工业与医疗等众多应用的积极发展,推动更复杂、高速且低功耗的 IC 成长。尤其云运算、5G、AI、虚拟实境、物联网、自动驾驶、机器人与其他新兴技术,正快速成长,未来将改变消费者以及企业使用习惯,持续带动 IC 市场强劲成长。


 DRAM业务稳步推进


据兆易创新之前透露的消息,公司最早将于2021年完成其首款DRAM芯片的封装测试以及客户验证,测试成功后将进行大批量产。在此之前的2020年9月30日,兆易创新发布的《非公开发行A股股票预案》(下称:《预案》)中介绍:该公司拟募集资金33.2亿元用于DRAM芯片研发及产业化项目。


公司积极布局 DRAM 领域,存储芯片领域中 DRAM 等通用型产品市场规模较大,具有举足轻重的地位。公司积极整合产业资源,布局 DRAM 产品领域,进一步拓展并丰富公司产品线,提升公司的核心竞争力和行业影响力。


2020 年 6 月,公司顺利完成 DRAM 芯片自主研发及产业化项目及补充流动资金之非公开发行股票事项,共募集资金 43.24 亿元,着手研发 1Xnm 级(19nm、17nm)工艺制程下的 DRAM技术,设计和开发 DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4 系列 DRAM 芯片,目前相关研发工作正在有序推进。


近期,兆易创新持续推进合肥 12 英寸晶圆存储器研发项目合作。通过签署《框架采购协议》等系列协议,推进双方在 DRAM 产品销售、代工及联合开发工程端的紧密业务合作。2020 年,公司已在 IPTV、手机、TV、信创等领域,获得了 DRAM 客户的订单和信任,为后续长期合作打下了坚实基础。


2020 年 11 月,经与长鑫集成、合肥产投、睿力集成、大基金二期等相关方协商一致,公司出资 3亿元,参与存储器研发项目公司睿力集成的增资。目前,公司持有睿力集成约 0.85%股权。公司预计将于 2021 年上半年推出第一颗自有品牌的 DRAM 产品,主要面向 IPC、TV 等消费类利基市场。目前行业内利基型 DRAM 主流工艺节点为 3Xnm-20nm,公司即将推出的 DRAM 工艺节点是 19nm,具有较强的竞争力。


对于目前芯片行业普遍涨价,兆易创新也表示会根据情况进行调价,目前Flash是处于供不应求的状态,尤其是NOR Flash。兆易创新表示,预期这个状态还会持续,尤其是NOR Flash。兆易创新也正在积极推进产品稳步进入车规市场,拓展公司产品在汽车领域应用,GD25 SPI NOR Flash已通过AEC-Q100认证,车规级MCU产品也在研发中,目前在汽车市场每年收入增长率高于NOR Flash的平均增长率。


存储芯片的景气提升,这也是兆易营业收入和利润增长的关键,也给公司带来了丰厚的利润和前景。



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