在汽车芯片一片难求，价格迅速飙涨的同时，存储芯片由于消费端市场需求平淡，长短料情况明显等原因，导致品牌端、代理商的库存水位处在较高阶段，合约价和现货价在第三季度也多是下跌趋势为主。有研究机构预计DRAM第四季度还会继续下跌，有业内人士认为NAND Flash 会受到iPhone13的带动而转好，且明年供给可能会吃紧，而NOR Flash会受到DRAM的影响而导致第四季度的价格小幅下降。先前由于DRAM短缺，多家厂商从二月份开始扩产，到了六月份，扩产效果开始显现，市场缺货情况逐渐减退。随后在七八月份，终端消费放缓，DRAM现货价下跌，而合约价缓慢上涨后逐渐回落，到了九月份，价格依然处在下降状态。据闪德资讯发布的上周数据《闪德周评 | 固态需求回温，内存加速探底，机会是否来临？》显示，本周内存OEM市场报价，D4板块，所有容量呈下跌态势，跌幅区间在1%-3%左右；D3板块，所有容量保持不变。据日经网报道，8 月 DDR4 8Gb 批发价较7月下滑2%至约3.8美元/个，4Gb 产品价下滑 2% 至 3.1 美元/个，缺货最严重的 DDR3 2Gb 批发价也止涨，2.5 美元/个与 7 月持平。
库存方面，据TrendForce集邦调查显示，目前除了供应商库存水位仍属相对健康外，基本上各终端产品客户手中的DRAM库存已超过安全水位，这会削弱后续的备货意愿。因此，TrendForce集邦预测，第四季DRAM均价将开始走跌，而部分库存量过高的产品单季跌幅不排除会超过5%，整体DRAM均价跌幅为3~8%。还有业内指出，在价格谈判上，DRAM厂已显弱势，9月份已经和部分客户敲定降价，预计DRAM价格将持续呈现下跌。NAND Flash方面，原先因为下半年电视、U盘、存储卡等销售低迷的影响，导致采购端库存上升，NAND Flash 主控 IC 缺货现象也随需求下降缓解。集邦咨询预计 2021 年第四季度 NAND 闪存整体合约价格将小幅下跌 0~5%。不过近期的iPhone13 或许会成为市场的推动力，由于iPhone13最高容量达到1TB，业内人士预计明年会有更多手机品牌厂跟进，手机内建储存容量有望得到升级，能直接提升对 NAND Flash 的消耗量与需求量。慧荣总经理苟嘉章指出，虽然近期市场确实库存较多，手机相关应用约需6个月去库存，PC 市场方面，商务型笔电需求还是强劲，消费型与 Chromebook 动能相对趋缓。但在2022年晶圆代工产能供给有限，加上晶圆代工价格将持续上涨情况下，预期2022年的NAND Flash控制IC市场供给仍相当吃紧，且产品单价仍会持续上升。NOR Flash方面，虽然第三季度合约价维持平稳，但据摩根士丹利报告，市场需求呈现疲软，不利于第四季度的价格。而原先预测第四季的定价可以比第三季上涨5%，如今下修至持平，同时2022年的第一季也不会调升。摩根士丹利同时表示，尽管看好NOR Flash未来在消费电子产品中使用量增加，不过短期而言，仍然会受到消费需求减弱影响。闪德资讯在上周周评闪德周评 | 固态需求回温，内存加速探底，机会是否来临？提到，尽管内存市场表现依然不理想，但另一种声音也开始出现，回归前期原点，是否代表机会的到来?而据了解，由于前期需求不好,积压库存较多，短期很难恢复正常，目前的快速调整，只能说再下探的空间有限了，随着假期效应的来临可能存在短时机会。而固态方面则明显回温，经过数周的调整后，近期SSD市场的表现似乎让业内看到了曙光。闪德资讯从OEM商了解到，在部分国内品牌商的备货需求下，流速明显开始好转，渠道商信心也逐渐有所恢复。虽仍以流通为背景下，整体行情表现还处弱势，但是随着需求的回温，再加上即将到来的国庆长假等因素，目前形势可能得以改善。
点击此处关注，获取最新资讯！
我的评论
最新评论