DRAM/NAND Flash随着价格自去(2023)年第三季起陆续涨价,且因AI应用需求获看好,原厂也拟渐渐将减产幅度缩小,渐渐拉升稼动率,而即便如此,模组厂商认为,原厂先前减产幅度深,增产速度会受限且资源会放在制程难度高的HBM、DDR5,所以产量的增加没那么快,相对全年仍看存储可维持涨势不变。威刚董事长陈立白表示,受到上游原厂产能大幅调配至AI应用的HBM与先进制程难度更高影响之下,预期上游原厂的DRAM产出将相当受限,而伴随市场需求稳步回升,下半年DRAM供给将转趋吃紧;另一方面,NAND Flash上游原厂虽然第二季开始逐步恢复先前减产的产能,估也会相对节制。宇瞻认为,全年存储价格看涨,即便原厂渐拉升稼动率,也只是涨幅收敛;过去1年供应端产能减幅已达30-50%不等,涨幅则会渐渐随着增产而收敛,但都还是维持涨势。目前需求都以AI应用为主,包括HBM以及DDR5,一方面帮助DRAM库存去化,且原厂增产也都以DDR5及HBM为主,Flash则放在逾100层以上的产品,且因高效产品制程长,Wafer从投片到颗粒产出时间拉长、产出也变少,所以产能利用率虽然慢慢提升,但实际可增加的产量有限,另外在产能排挤效应下,DDR4价格会变好。群联认为,NAND Flash原厂要有合理毛利率才会持续提升产能,以供应市场所需,若原厂下半年不宣布增产,明年NAND可能会陷入短缺。十铨也表示,原厂带动DRAM及NAND Flash涨势明确且有望延续,展望今年,公司持续提高技术层面,推出更多元高规格内存与储存方案,市场渗透率也持续上扬,持续推升全球市场竞争力。
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