南亚科16Gb DDR5今年导入生产,挑战年中损益平衡

2024-02-26
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存储制造商南亚科针对今年何时可以由亏转盈,公司回应,挑战年中损益两平。而16Gb DDR5产品预计2024年导入生产,DDR5今年占比不会太大,努力单月营收贡献达10%。并宣布,RDIMM今年年底前Tape Out,明年开始通过认证量产出货。

针对何时可以转盈,南亚科表示,去年DRAM价格跌得较深,回升需一些时间,营运逐季改善的机会高,挑战年中损益两平,公司会以此为目标持续努力,逐季改善。
至于重要技术与产品展望,预期1B制程技术8Gb DDR4与16Gb DDR5产品预计2024年导入生产。3D堆叠技术研发进行中,用于开发高密度RDIMM产品,目标服务器市场。此外2024年预期全年位元成长率20%以上,将逐季成长。
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南亚科提到,AI应用广泛,最近因Open AI与生成式AI带起热潮,对带宽要求较高,带动HBM需求,但HBM其实已发展多年,早期大型网络公司已开始小量应用。目前HBM整个市场从位元来看量并不大(约低于2%),但营收估计可能将近10%。但价格可能提升5倍。而此2%的市场,三大国际DRAM厂目前争相抢占,竞争激烈。
考量HBM需要高带宽内存(高IO),Die Penalty较高,成本可能要到2.5-3倍(依营运规划及产量而异),且须与三大厂直接竞争,加上搭配还需大量控制芯片,需有合适的合作伙伴,遂与南亚科的策略较不相同。
南亚科直言,公司是以3D IC为主目标,开发AI运算时亦大量使用的高密度RDIMM。该市场较HBM大,利润也较佳。以南亚科推动自主研发来看,目标是先逐步先3D技术做好。该产品的Die Penalty较小,为应用TSV之3D IC产品。南亚科先前已有HBM、TSV技术经验,因此技术面的瓶颈是能够克服的。市场将持续动态变化,但目前依整体考量,较适合南亚科切入。而南亚科TSV开发会有策略伙伴,目前需要量产设备与经验。

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