传SK海力士HBM4采用全新设计，完全消除中介层 ssd新闻存储新闻

2023-11-23

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综合各家媒体报道，韩国存储大厂SK海力士尝试开发全新方式GPU，将逻辑芯片、高频宽内存（HBM）堆叠在一起，这也将是业界首创。SK海力士已与英伟达等半导体公司针对该专案进行合作，据报道当中的先进封装技术有望委托台积电，作为首选代工厂。

韩媒中央日报报道，HBM4目标是直接放置在英伟达、AMD等公司GPU芯片上。目前HBM是堆叠放置在GPU 旁边，透过两个芯片下面的中介层（ interposer）连接，不过SK海力士新目标是完全消除中介层，将HBM4透过3D堆叠直接整合在芯片上。

Tom's Hardware指出，这种设计与AMD V-Cache类似，后者将一小块L3快取（cache）直接放在CPU顶部，新技术则是则将GPU所有内存放在GPU顶部或几个芯片的顶部。

中央日报认为，这项技术有望彻底改变半导体和代工产业，但还需要一段时日。一位韩国产业官员表示，「这种技术可能10年内实现，最终区分内存芯片和逻辑芯片可能变得毫无意义」。

这种技术优点是缩小封装尺寸、提高性能，但散热将是最大问题。采用V-Cache的AMD CPU，公司必须降低TDP和时脉频率，以补偿3D cache产生的额外热量，像英伟达H100这种数据中心GPU，需要80-96GB的HBM，在容量和热量与V-cache完全难比拟。

SK海力士的HBM4预计2026年问世，三星也在开发类似专案，可能与SK海力士竞争，从英伟达、AMD、苹果公司那获得这些设计的订单。

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