SK海力士计划升级在华工厂，DRAM生产设备提升至第四代10nm工艺 ssd新闻存储新闻

SK海力士计划升级在华工厂，DRAM生产设备提升至第四代10nm工艺

2024-01-15

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据韩媒《首尔经济》报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。

报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于「无锡工厂将技术升级」的消息，SK海力士方面表示「无法确认工厂的具体运营计划」。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为美国为阻止中国半导体产业崛起，从2019年开始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。

报道称，随着全球半导体市场进入复苏，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。SK海力士总裁郭鲁正出席CES展会时表示：「我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。」

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