根据韩媒引用市场人士的说法报道指出，SK海力士计划将中国无锡工厂一部分的C2晶圆厂产能，提升至采用10纳米级的第四代（1a）DRAM制程技术，以为了接下来应对市场的需求进行扩产做准备。目前，中国无锡工厂是SK海力士最主要的生产基地，其产能约占SK海力士DRAM总产量的40%。目前，该工厂正在生产10纳米级的第二代（1y）和第三代（1z）DRAM产品，属于较旧制程技术。报道指出，先前SK海力士预计将中国无锡工厂改造成生产10纳米级第四代DRAM，或者更先进制程的目标并不容易，原因是受到美国对中国所施行的半导体设备出口禁令所影响。美国政府自2019年起，禁止出口先进的半导体生产必备设备，例如ASML的EUV光刻机到中国境内。而SK海力士预计生产的10纳米级第四代DRAM就必须采用EUV光刻机，但由于无法将EUV光刻机引进到中国无锡工厂，因此无法用正常生产10纳米级第四代DRAM。然而，随着2023年美国政府给予SK海力士相关的禁令豁免之后，SK海力士开始能够向其中国无锡工厂进口用于制造18纳米制程，或先进制程的DRAM的生产设备。不过，其中的EUV设备的仍然不被允许进口到中国境内，这使得SK海力士要生产10纳米级第四代DRAM仍旧受阻。为解决这样的问题，SK海力士在制程转换上选择以「运输」的方式来因应，也就是10纳米级制程的第4代DRAM部分生产在中国无锡工厂进行，之后生产出来的晶圆再被送回总部所在的韩国利川园区，进行EUV制程阶段，然后再运回无锡完成过程。由于EUV制程在第4代DRAM产品中仅使用一层的曝光应用，所以就增加的成本来说将是SK海力士可以接受的。事实上，该公司在2013年中国无锡工厂发生火灾期间，就曾经使用此方法克服DRAM生产中断问题。不过，对于中国无锡工厂的制程转换状况，SK海力士则表示无法确认具体的工厂营运计划。2013年SK海力士中国无锡工厂发生火灾，SK就展示运输巧妙运用。某些生产线完全破坏无法生产，部分晶圆成品就空运回利川工厂，再运回中国完成后续制程。火灾使无锡厂产能降到每月65000 片，为原产能一半，但用运输尽可能将DRAM供应风险降到最低，两个半月内就恢复产能，颠覆业界对火灾危机持续六个月至一年预期，也克服史无前例的DRAM供需危机。如今，SK海力士又上演十年前的戏码。由于美国对中国的制裁，导致EUV光刻机无法引进到中国境内，使得中国无锡工厂的晶圆需要被被转移到韩国利川工厂，生产10纳米级第四代DRAM。半导体市场进入复苏阶段，高性能芯片产能扩张刻不容缓，通过物流运输，SK海力士高性能芯片扩产也有可靠解决方案。
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