据专家分析，2024年预计全球半导体业景气将可摆脱2023年衰退的态势，而在年初之际，部分产品尚处于库存调整的尾声，预计此些类别的景气要到2024年下半年才可望明显反弹，但目前可确定存储包括DRAM、NAND Flash、NOR Flash将成为2024年首波复苏的半导体产品，特别是2023年第四季DRAM价格相对持稳，2024年涨价的焦点也将从NAND Flash扩散DRAM，例如DDR4、DDR5等；也就是当前存储市场已逐部摆脱周期底部的阶段，且随着供需关系获得改善，产品报价也开始筑底向上。特别是存储占全球半导体业达20％，可视为半导体业风向标，在其景气回温释放一定复苏信号，加上AI商机及其他科技商机催化消费电子新需求，显见2024年行情'>存储行情的基本面将逐步改善；甚至中期来看，生成式AI市场迅速扩张，更可望带动对于内含存储含量与价值的成长空间，长期来说，存储厂随着商业务多元化布局、产品结构持续升级，仍可望扮演全球市场中少数的关键。以DRAM来说，虽然2023年年末时序正值欧美假期，DRAM交易动能趋于平淡，但因库存水位已明显降低，且客户端的备料及买卖意愿增加，以及市场对于存储业2024年的共识为价格将持续上涨，故现货端仍有零星购货，部分料号价格小幅上涨。整体而言，有鉴于2023年以来迄今国内外DRAM大厂相继减产终于让芯片价格止跌，甚至又有来自于AI商机及先进电脑运算需求持续扩大，更增加业者酝酿涨价的底气，故三星及美光已规划在2024年第一季将DRAM芯片价格调涨15～20％，显然DRAM厂商持续藉由调整产线配置并扩大先进制程比重来维护获利，因此市场普遍认为2024年第一季各大厂仍将继续严格控制DRAM产能，进而激励价格回升。以NAND Flash而言，2024年第一季NAND Flash（eMMC/UFS）季涨幅有机会介于18％～23％，主要是随着供需结构已经过一番调整，加上行业库存落底，以及原厂减产效应作用，也由于智能手机对于NAND Flash需求有所支撑，故全球该项存储的价格将延续先前2023年下半年的涨势。值得留意的是，为了维持该项产业的正向发展，国际大厂透过价格上涨来达成获利改善，将是各家NAND制造业者不得不采取的策略，宁愿短期先放下市占率的抢夺，显然逐步推高价格将势在必行。事实上，观察此波存储市场的商机，可尤其关注AI所带来高带宽内存（HBM）产品的成长潜力，毕竟储存能力已成AI芯片性能升级的核心瓶颈，特别是HBM作为基于3D堆叠技术的高性能DRAM，等同打破内存带宽及功耗瓶颈，显然GPU性能的提升将不断推动HBM技术升级，在此情况下，全球HBM市场规模将有机会从2023年的15亿美元增至2030年的576亿美元，等同此段时间的年复合成长率将达到68.3％。而有鉴于HBM量价齐升的商机浮现，全球三大DRAM厂商积极扩产，其中SK海力士将于2024年扩产2倍，并导入10纳米技术，而三星、美光紧随其后，同样宣布大规模扩产，况且三大厂商也将积极让HBM2进化到HBM3e、HBM4等，借此让HBM产品可持续升级来成为AI芯片算力提升的关键。
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