据韩媒BusinessKorea报道,韩国存储大厂三星电子为了提振NAND Flash芯片市场行情,打算在第四季将NAND芯片价格调涨10%以上,且最快自10月开始涨价。业界人士认为,第四季DRAM及NAND合约价可望看涨10%~15%。消息称,三星电子最快将从10月签约的新订单开始调涨NAND芯片合约价格,这是继先前宣布NAND芯片减产后,企图提振NAND芯片价格的最新策略。由于NAND芯片利润比DRAM芯片低,因此三星近来积极推动价格正常化。三星立下目标要在明年第二季达成NAND芯片事业收支打平,因此决定在减产之余还要调涨芯片价格。SK证券公司分析师Han Dong-hee表示:「三星电子的第二波减产行动及获利至上政策,可望激励存储芯片价格反弹。」另一方面,对于三星、SK海力士及美光持续减少供给,意图带动DRAM及NAND合约价及现货价止跌回升。台湾业界人士指出,目前DRAM现货报价中,以DDR5涨势最为明显,主要是库存较少。DDR4库存水位虽偏高,但三大厂的DRAM减产重点锁定于DDR4,朝DDR5扩大生产,预期至2023年底,DDR5销售比重将可达30%~40%,与DDR4用量呈现黄金交叉。惟法人考量逻辑代工厂端成熟制程产能利用率,并无明显回升,后续仍需观察需求延续力道。目前第四季模组厂对客户涨价已成市场共识,合约价也有望随现货价回升,模组厂获利将率先反应,而存储制造及代工厂则因持续透过减产支撑价格,业绩预料较晚复苏。
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