据外媒Blocksandfiles报道,早前开发了可将NAND芯片雕刻成多个并行平面以加速IO的X-NAND技术,初创公司Neo Semiconductor最近又推出了X-NAND的第二代产品,以再次将其速度提高一倍。新技术采用具有两到四个访问平面的NAND芯片,每个平面分为4到16个子平面,每个平面并行访问,页面缓冲区用于优化数据吞吐数据。在第一代X-NAND中,总共有四个平面用于SLC/TLC并行编程,输入数据被编程为三个平面中的三个SLC字线,然后编程为第四个平面中的TLC字线。这使得第一代X-NAND固态硬盘能够提供1600MB/s的顺序写入吞吐量,而基本固态硬盘为160MB/s。第二代X-NAND则以不同方式工作,两个平面用于SLC/TLC并行编程,输入数据像以前一样被编程为三个SLC字线,但现在只在一个平面上,然后在第二个平面上编程为TLC字线。这使得数据写入能够以更少的平面并行进行,X-NAND通过更大容量和更低成本QLC存储器提供类似SLC的性能。Neo Semiconductor表示,第二代X-NAND提供3200MB/s的顺序写入吞吐量,比基本SSD快20倍。根据Neo Semiconductor的宣传,X-NAND架构支持SLC、MLC、TLC、QLC和PLC的NAND颗粒,该IP还可由铠侠、美光、三星、SK海力士、Solidigm、西部数据和长江存储等存储厂部署。
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