据日经新闻报道，铠侠将在7月内、利用四日市工厂开始量产最先进的NAND Flash产品，借此开拓因生成式AI普及、而急增的数据储存需求。铠侠将开始量产的NAND Flash产品堆叠218层数据储存元件，和现行产品相比，储存容量提高约50%、写入数据时所需的电力缩减约30%。

据报道，因AI需求、提振行情'>存储行情改善，铠侠产线稼动率已在6月回升至100%。受智能手机用需求低迷影响，铠侠自2022年10月起持续实施减产措施、减产规模一度超过3成。

铠侠之前宣布，将携手西部数据投资7290亿日元量产先进存储产品，位于北上工厂厂区内的新厂房将在2025年运转。日本经济产业省最高将补助2430亿日元。

此外，铠侠近日公布了一项雄心勃勃的路线图，旨在2027年实现1000层的3D NAND技术。这一公告最近发布，标志着其最初预测到2031年达到这一里程碑的速度大幅加快。业内消息人士证实，铠侠的新时间表比原计划提前了四年多，甚至比三星电子预计的2030年实现1000层还要快。

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