存储原厂业绩回升,纷纷开启扩产建厂潮

2024-04-19
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据《钜亨网》报道,全球半导体产业正逐步走出低谷,随着行情回温,美台韩芯片大厂开始为下一轮上行周期做准备,同时产业链也正在重建,在各国政府大手笔补贴下,芯片大厂纷纷启动新一轮建厂行动,加大布局抢占市场。

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在需求缓慢恢复以及价格触及反弹的推动下,全球三大存储芯片厂最新一季的财报都传来喜讯,三星公布的财测数字显示今年第一季营收年增11%至约71万亿韩元,营业利润更大幅年增931%至6.6万亿韩元左右,创2022年第三季以来的最高纪录。
美光也结束连5季亏损,2月为止的第二季营收年增58%至58.2亿美元,季增率亦达23%,净利转亏为盈至7.93亿美元,因DRAMNAND Flash需求及物价同步上升,SK海力士业绩更早在去年第四季回升,营收年增47.4%至11.3万亿韩元,超过市场最高预期,营业利润3460亿韩元,结束自2022年第四季以来持续的营业亏损。
业绩回升之际,美韩厂商也逐渐恢复产能供给,并在AI浪潮推动下积极推动HBM扩产,三星据悉今年首季在南韩平泽跟中国西安NAND Flash闪存生产线的晶圆投片量,相较上一季将提升约30%但对进一步增产仍谨慎以对,希望避免影响NAND Flash的价格涨势,铠侠跟西部数据上月则率先将产能利用率恢复至近九成,可望带动今年NAND Flash产业供给位元年增率达10.9%。
DRAM方面,根据市场研究机构Omdia报告,三星将今年次季平均每月投片量调升至60万片,月增率13%,下半年料将增至66万片,DRAM产量恢复到减产前水准;SK海力士投片量也逐渐恢复,第二季每月平均投片量从第一季39万片增至41万片,下半年预计该公司的DRAM晶圆投入量将增加至45万片。
至于HBM方面,韩国厂商扩产则超过预期,三星高层在「Memcon 2024」全球半导体大会上表示,该公司今年HBM芯片产量将比去年增加2.9倍,高于年初预测的2.4倍,在AI浪潮带动下,高效能内存需求猛涨。
作为HBM技术领先者的SK海力士也在加码高效能内存的投资,月初宣布打算砸下38.7亿美元在美国建造存储先进封装生产基地,预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适用于AI的存储产品。

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