据研究机构Knometa Research发布的全球晶圆产能报告分析,到2022年底,三星、美光、SK海力士三大存储半导体制造商合计拥有前沿制程产能的76%,其中绝大部分用于先进DRAM和3D NAND生产。根据该机构的划分标准,前沿产能包括代工厂3-6nm、英特尔4-7nm、DRAM厂商11-14nm、NAND厂商大于176层3D NAND;其余前道IC制造产能又按「次前沿」制程(代工7-16nm)、成熟制程(20nm-0.11µm)、大线宽制程(0.13微米以上工艺)进行分类。报告还显示,到2022年底,三星是业界前沿和次前沿产能的最大拥有者。该公司是业界最大的DRAM和NAND闪存产品供应商,也是低功耗等先进逻辑产品的最大制造商之一。
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